欧姆接触相关论文
GaN具有优异的材料特性,适合制备高频高压大功率器件。GaN器件结构有横向结构器件和垂直结构器件,因为垂直结构的GaN器件具有很多......
覆盖UVC波段的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）具有环保、节能、安全等特点,能够替代传统汞灯光源,在空气杀菌、水消毒净化、食物......
作为第三代半导体的突出代表,SiC因具有很多的优良特性而被广泛应用于高频、高压器件中。在SiC器件的制造过程中,获得稳定性好且接......
以GaN基半导体材料为代表的第三代半导体材料,是宽禁带直接带隙材料,具有介电常数、导热性能良好、饱和电子漂移速率高、以及抗高......
随着科技的发展,碳化硅高温压力传感器被广泛应用在石油钻井、化工冶金和航空航天等领域。目前国内外主要致力于传感器结构设计优......
过渡金属硫化物（TMDC）以其优异的性能和二维层状结构得到了广泛的关注。其超薄,没有悬挂键和可调带隙等不寻常的特性,使其在电子科学......
金刚石作为一种重要的功能材料,拥有许多优良的特性,比如超硬、高导热率、高电子空穴迁移速度和宽带隙、高光学透过率以及化学惰性......
GaN基蓝光、近紫外光及深紫外光LED在照明、显示、医疗与消毒杀菌等领域有着广阔的应用与需求。在GaN基倒装和垂直结构LED中,高反......
以硅（Si）材料为基础的工业半导体取得了前所未有的进步,然而其较小的带隙无法满足半导体器件在高压、高频、高功率以及短波长发光和......
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不......
作为第三代半导体材料中的杰出代表,氮化镓材料相比于硅材料具有更大的禁带宽度和更高的击穿场强,可广泛应用于LED照明、5G通讯、......
当金属材料与半导体材料相互接触时,由于材料的功函数不同,可以形成两种截然相反的接触:肖特基接触和欧姆接触。在不同的制备工艺......
生物传感技术是当今社会的前沿科学技术,是集电子、生物、医疗、化学、物理、材料等多学科于一体的交叉综合性学科。生物传感器在......
台面铟镓砷(InGaAs)探测器制备工艺包括n型InP欧姆接触和较好可靠性的延伸电极。采用Cr/Au作为n型InP欧姆接触, 通过传输线模型和......
第三代半导体材料具有禁带宽度大和击穿场强高等优点,因此在紫外探测和电力电子方面具有巨大的发展前景和研究意义。尤其是β-Ga2O......
近几年,Ⅲ-Ⅴ族半导体GaN由于其宽直接带隙,在高温、高功率器件方面得到了广泛研究。但是,目前GaN器件的性能依然受到了p型欧姆接......
利用连续Ar<sup>+</sup>激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd<sub>2</sub>Si/GaAs(6.9×10<sup>17</sup>cm<sup>-3......
回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧......
介绍了半导体／金属薄膜在光磁技术、光解水、电化学照相、电子及微电子工业中的应用以及发展趋势。
The application and developm......
介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道......
研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,T......
提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构,通过腐蚀高掺杂欧姆接触层,在腔面附近引入电流非注入区,限制载流子注入腔面,减少载流......
介绍了1 700 V SiC SBD器件的结构设计、制造工艺、静态特性测试及可靠性摸底试验。通过模拟仿真得到了最佳的漂移区结构和器件结......
在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特......
采用源漏区域孔阵列挖槽的方法降低氮化镓n型欧姆接触的合金温度,并改善合金后金属形貌。相对于非源漏区域孔阵列挖槽的氮化镓n型......
通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和......
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,......
利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在......
氮化镓材料以其宽禁带、高击穿、高电子迁移率和高电子气密度逐渐步入功率器件的舞台。这些优良的材料特性,使得氮化镓功率器件较......
GaN基蓝绿光LED在固态照明、背光、大屏幕显示、信号灯等方面得到了广泛的应用。GaN基紫外、深紫外LED在杀菌消毒、生化探测、医疗......
近几十年来,在摩尔定律的指引下,半导体工艺技术迅猛发展,集成电路集成度不断提高,随之而来集成电路的最基本单元-场效应晶体管(MO......
氮化镓(Ga N)作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿场强高、耐高温、抗辐照等优异性能。特别是其与Al Ga N等材料可以形成具......
学位
近年来,基于纳米级厚度二维材料光电探测器的报道层出不穷。二维材料可以像堆乐高积木一样将任意两种能带不同的二维材料堆叠在一......
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅（SiC）材料具有抗击穿能力强、耐辐照及热稳定性好等诸多优点,被广泛应用到高功率、高温、抗......
以MoS2、WS2等为代表的二维过渡族金属硫化物（Transition Metal Dichalcogenides Sulfide,TMDCs）半导体材料,由于具有与石墨烯类似的......
新一代半导体材料碳化硅(SiC)相比于当今电子行业中最常用的半导体材料Si而言,具有宽带隙,高击穿电场和高导热率等优异性能,使其适......
发光二极管(LED)作为新一代绿色照明光源,具有高效、节能、环保、寿命长的优点,在节能减排、低碳发展中发挥了重要作用。现在,四元......
微机械加速度传感器是一种测量惯性力的传感器,具有体积小,重量轻、低成本、易于批量成产等优点。谐振式传感器输出频率信号,不需......
在近50年半导体产业的发展历程中,以Si CMOS器件为基础的集成电路产业遵循“摩尔定律”的预言得到了飞速发展。通过MOSFET沟道长度......
基于第三代半导体的材料优势,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波通信、电力控制、雷达航天等领域应用潜力巨大。欧姆接触是......
本文介绍高精度控制 Si 膜厚度的电化学腐蚀自停止新技术。讨论光照和电极欧姆接触等对腐蚀特性的影响,以及所得 Si 膜的质量。
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质子轰击条形DH激光器,通常我们采用常规的液相外延方法来制造。一般在n-GaAs衬底材料上生长Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs五层DH结构。n面......
