化学浴沉积法相关论文
由于钙钛矿固有的光电性能和优良的成膜性,钙钛矿太阳能电池（PSCs）发展比较迅速,小面积器件效率达到了25.5%。然而,PSCs要实现大规模......
ZnO是第三代宽禁带半导体的杰出代表,室温下的禁带宽度为3.37 eV,具有很高的激子束缚能60 meV,发光波长范围覆盖了从紫外到红外的......
随着智慧城市的不断推进,人们对于成像和观测手段的需求越来越高。短波红外（1-3μm）作为可见光频谱的重要拓展,因其与现行的可见光探......
作为常见的硫化物材料,Zn S具有良好的透光性但导电性略差;与之相反,Cu S虽然透光性较差,却具有能与金属材料相比拟的导电性能。若......
纳米二氧化钛(TiO2)具有优良的光电特性、光催化活性、抗菌性等，在太阳能电池、光催化降解污染物以及医用材料等领域已有广泛的研究......
氧化锌(ZnO)作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,一直受到广泛关注。ZnO具有室温下3.37eV的禁带宽度,60meV的激子束缚能,优......
太阳能是所有能源中无限量的清洁能源，被视为未来人类生存发展的主要能源。目前，太阳能电池大多基于宽禁带半导体材料，虽然克服了对环......
随着经济社会的高速发展，人们的生活水平日益提高，但是高速发展的背后是环境的高度恶化和能源的极度危机。有毒、有害难降解的有机物......
氧化锌(Zno)是Ⅱ-Ⅵ族组成的金属氧化物半导体,由于其相对宽的直接带隙(-3.37eV)和较高的激子束缚能(60meV),使得其具有在室温下发......
SnS无毒、环保,其光学禁带宽度与可见光有很好的光谱匹配,非常适合作为太阳能电池中的光吸收层材料。ZnO的禁带宽度约为3. 3eV,具......
立方晶系的FeS_2(pyrite)是一种黄铁矿型结构的化合物半导体，其理论禁带宽度为0.95eV，光吸收系数高达10~5cm~(-1)，组成元素储量丰富无......
太阳能电池是解决能源危机和环境问题的最有效手段之一,但高成本限制了太阳能电池的大规模应用。因此,通过低成本的制备方法和材料......
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，在室温或更高温度下能够实现高效发光。ZnO具有优......
现阶段国内外对非极性ZnO的研究越来越受到关注，这是由于沿本征方向生长的ZnO会由于其自身结构而引起压电效应及自发极化效应，因此大......
本文在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)存在下,用化学浴沉积法(CBD),分别以FTO玻璃、Cu片和Ti片作为衬底,制备了具有不同纳米结构的Cu2......
一维微/纳米材料尺寸结构在三维空间上有着特殊的分布,这使其在光、电、热、磁等方面有着许多优异的性能,因而在众多领域有着广泛......
ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子结合能为60meV，由于ZnO较高的禁带宽度和大的激......
用化学浴沉积方法以CdCl2·2.5H2O和乌洛托品为前驱体制备了CdOHCl薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜、场发射扫描电镜等方法进行......
太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中，采用氨水为主络合剂，水合肼为辅助络合剂，通过添加少量......
基于化学浴沉积法，采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜．对在不同沉积时间......
以Zn(NO3)2·6H2O、六亚甲基四胺和聚乙烯亚胺(PEI)为原料,采用化学浴沉积法在沉积了ZnO种子层的氧化铟锡导电玻璃衬底上制备Z......
以硫酸锌、(NH4)2S2O3混合溶液为前驱体溶液,加入少量的柠檬酸钠和丙三醇为络合剂和分散剂,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上成功制备......
摘 要：为了提供多条电子传输通道，增加窄禁带半导体和有机半导体的负载量，采用一步水热法，在FTO基底上制备了由纳米管和纳米线组装而成......
将电沉积法和化学浴沉积法结合，分别将CdTe和CdS量子点纳米晶材料引入到TiO2纳米管阵列上制备CdTe/CdS量子点共敏化TiO2光电极。利......
近年来,环境污染越来越严重,检测环境中的有害气体尤其重要,气敏传感器的出现引起了人们的关注。由于气敏性能与材料的形态结构有......
太阳能是一种绿色、安全的可再生能源,如何高效地利用太阳能是世界各国学者一直关注的焦点问题。光热转换是目前太阳能利用中效率......
采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究......
采用氯化镉、氯化锌、硫脲、柠檬酸钠和氨水的溶液体系通过化学浴沉积法合成Cd_xZn_（1-x）S薄膜,利用X射线衍射分析、扫描电子显微镜......
以五水硫代硫酸钠和五水硫酸铜配制冷溶液,氢氧化钠配制热溶液,利用氧化铟锡导电玻璃基底在两种溶液中循环浸泡的化学浴沉积法制备......
硫化铅是一种重要的窄禁带半导体材料,在室温时,其能带间隙约为0.4eV,波尔激子半径则为相对较大的18nm。这些特性使硫化铅对于红外......
以硫酸镍(NiSO4)和钨酸钠(Na2WO4?2H2O)为原料,采用低温化学浴沉积法在ITO导电玻璃上制备NiO和WO3电致变色薄膜,并通过物理方法制......
氧化锌(ZnO)作为一种重要的无机化合物,一直以来是人类历史的一部分。二十世纪材料科学中的新技术促进发现这种材料革命性的和潜在......
利用化学浴沉积法，以EDTA为络合剂，CuSO4·5H2O和Na2S2O3为前驱体溶液制备了硫化亚铜纳米薄膜，用FESEM、XRD、光学显微镜研究了前......
本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成CdS薄膜,制备出均匀、致密的CdS薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外......
采用化学浴沉积法，以Zn（CH3COO）2和NH3·H2O为反应体系，研究了不同陈化时间阶段下产物的物相、形貌以及残余溶液中的Zn离子浓度。......
利用化学浴沉积法在FTO基底上制备了厚度可调CuS对电极（CE）。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见（UV-Vis）分光光度计及电......
采用化学浴沉积法，以Zn（CH3COO）2和TEA为反应体系，制备了ZnO纳米颗粒团聚微球，并对不同陈化时间阶段下的产物分别进行了物相、形貌、热......
以三乙醇胺（TEA）和二水乙酸锌（Zn（CH3COO）2·2H2O）为原料,采用化学浴沉积法制备多级结构Zn O微球,并将获得的多级结构Zn O微球粉应用......
通过化学合成方法（化学沉淀法和化学溶液沉积法）成功地合成了稀土元素（Ce,La,Eu）掺杂的ZnO纳米材料,研究了不同种类的稀土元素及实验参......
为了研究三乙醇胺（TEA）在化学水域沉积法工艺中的作用,本文以氯化铜,硫脲,氨水和三乙醇胺为原料,采用化学浴沉积法在玻璃基底表面成......
作为第三代太阳电池,量子点敏化太阳电池（Quantum Dots Dye-sensitized Solar Cells,QDSSC）由于其低制备成本及较高理论光电转换效率......
近年来,金属氧化物半导体气体传感器的研究备受人们的青睐。气敏材料的性能在很大程度上取决于其形貌、维度、比表面积、晶粒尺寸......
自发现荷叶的超疏水现象以来,生物模拟超疏水表面以其优异的性能引起了全世界的广泛关注。本文采用化学浴沉积法,使纳米ZnO的制备......
量子点太阳能电池（QDSSCs）被称为下一代太阳能电池。富勒烯具有良好的光化学性,作为电子受体,在提高有机光伏电池的性能里也起着重要......
用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜,并对成膜条件及膜的性能进行了研究.结果表明:化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的......
新能源的开发以及环境治理是解决能源短缺与环境恶化的主要手段,开发治理成本高以及开发治理效果不明显仍是面临的主要问题。因此......
