Mg掺杂相关论文
氮化镓基高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistor,HEMT）具有传统硅基器件难以企及的高击穿电压、高功率密度及低开关......
AlGaN材料作为第三代半导体材料,在深紫外发光二极管（Deep ultraviolet-Light emitting diodes,DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常......
锰基正极材料凭借其较高的比容量、丰富的资源以及对环境污染相对较小等优点成为了钠离子电池中研究最多的正极材料之一。经过这些......
钙钛矿结构的稀土锰氧化物以其庞磁阻现象和自旋-电荷-轨道间的相互作用而产生的丰富物理内涵而备受瞩目。尽管人们已对此进行了大......
由于Nb3Al材料具有比Nb3Sn更高的超导转变温度（Tc）、上临界场(Hc2)、临界电流密度（Jc）,以及在高场下更良好的抗应变特性,是未来磁约束......
ZnO是第三代宽禁带半导体的杰出代表,室温下的禁带宽度为3.37 eV,具有很高的激子束缚能60 meV,发光波长范围覆盖了从紫外到红外的......
随着社会和经济的快速发展,人们面临着资源枯竭和环境污染等问题。相对于煤炭及石油化石能源,天然气是一种更为清洁的能源,但是其......
Ni2MnGa合金是一类新型的铁磁性形状记忆合金,具有多重优异的磁控功能,在磁驱动器件、磁传感器及磁制冷等领域具有巨大的潜在应用......
气敏传感器可以检测环境中的特定气体,在易燃、易爆、有毒、有害气体的检测中应用非常广泛。气敏材料对气敏传感器的性能有着至关......
热敏电阻是一类电阻率随温度上升而呈指数性下降的材料,因其具有这种特殊的电学性能使得该材料可以应用到各种温度测控领域。此外,......
本文采用脉冲激光沉积法（PLD）在石英及SiO2/Si衬底上生长了 MgZnO薄膜,研究了不同Mg含量靶材、衬底温度、氧气压强以及氧气流量等对......
使用A1N插入层方法由金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN上生长的不同A1组分的AlxGa1-xN以及掺MgAl0.54Ga0.45N。使用阴极荧光的测试......
采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL......
锂离子电池因其能量密度高、循环寿命长、工作电压高和无记忆效应等特点受到广大研究工作者的青睐,其中正极材料是决定锂离子电池......
P型金属氧化物透明导电材料在发光与显示、太阳能电池等方面有着广泛的应用。与二元P型金属氧化物相比,具有ABO2铜铁矿结构的三元P......
本研究采用有机液相合成法制备ZnO量子点。用HRTEM、XRD、XPS等表征手段对不同条件下合成的ZnO材料进行表征并分析;用合成的ZnO材......
层状铜铁矿CuCrO2是一种宽禁带（3.2 eV）透明导电氧化物,由密排Cu层和CrO6共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,自发形成Cu空位产生的空穴......
氮化镓(Ga N)是一种具有直接宽禁带的半导体材料,具有较高的电子迁移率、良好的耐高温能力、优异的抗击穿能力以及出色的抗辐射能......
纳米线、纳米带和纳米棒作为新型的一维材料越来越多引起了人们的研究兴趣。2001年《科学》杂志宣布基于半导体纳米线的纳米电路将......
氧化镍是具有典型的3d电子结构的氧化物半导体,是一种p型半导体材料,禁带宽度是在3.6～4.0eV之间。因为氧化镍薄膜具有优良的光电特......
正极材料LiNi0.5Mn1.5O4以其较高的容量和4.7V高电压放电平台成为新一代商品化锂离子电池材料的最佳候选。本文围绕离子液体作用下......
为了揭示Mg掺杂影响ZnO带隙的物理机制及高压对ZnO微结构、电子结构和发光性质的影响机理，本论文采用MaterialsStudio计算软件中的C......
钒基尖晶石AV_2O_4体系中存在着自旋、轨道、晶格等多种作用相互耦合,成为了研究强关联体系的热点课题。其中MnV_2O_4因为A位的Mn......
利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能。从理......
采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、室......
利用溶胶-凝胶法成功制备了Mg掺杂Pb0.4Sr0.6MgxTi1-xO3-x薄膜,利用x射线衍射仪对薄膜的物相和结构进行了分析,用扫描电子显微镜对......
采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。......
以柠檬酸为络合剂采用溶胶-凝胶法制备了纯LaCrO3和Mg掺杂型催化剂，以X射线衍射法分析各样品的物相，BET法测定样品的比表面积，TPR技术......
使用自制的MgNH4PO4/MgHPO4混合物为掺杂剂,利用碳热还原法制备Li3Mg（2x）V（2-2x）（PO4）3/C（x=0,0.05,0.1,0.2）材料。运用XRD、SEM、电化学性......
为提高正极材料LiFePO4的充放电性能,用Mg对LiFePO4进行掺杂,研究了Mg掺杂量对LiFePo4性能的影响.掺杂Mg可提高LiFePO4的容量,x=0.......
以氢氧化钠为沉淀剂，氨水为络合剂，通过氢氧化物共沉淀法制得前驱体，然后高温煅烧，合成锂离子电池正极材料Li（Ni0.6Co0.15Mn0.25）1-xMgxO......
基于密度泛函理论计算了本征氧化锌、6.25%Mg以及同位、邻位、间位12.5%Mg原子掺杂氧化锌晶体的几何结构、原子轨道电子布居、静电......
采用柠檬酸盐分解法得到前驱体，在氩气气氛中低温烧结，合成了六角密排结构的Mg掺杂Ni纳米颗粒．利用TG—DTA、SEM、TEM、XRD等测试手段......
以硝酸锌（Zn（NO3）2·6H2O）、柠檬酸（C6H8O7·H2O）为主要原料，采用改进的溶胶-凝胶法合成了纳米ZnO。在此基础上，添加硝酸镁（Mg（NO3）2&......
将氢氧化物共沉淀法制备的（Ni_（1/3）Co_（1/3）Mn_（1/3））（OH）_2在500℃热处理5 h得到具有尖晶石结构、纳米尺寸的氧化物M_3O_4（M=Ni_（1/3）Co_（1/3）Mn......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在单晶Si（100）衬底上制备Zn1-xMgxO（x=0．075，0．15，0．35，0．65）薄膜，研究了不同Mg含量掺杂、氧压、退火温度对其磁性的影......
通过Mg＋金属掺杂及流变相制备方法来改善橄榄石结构的LiFePO4的电化学性能．研究了不同掺杂量和不同制备方法对材料结构性能和电化学......
以氨水和NaOH为络合剂和沉淀剂，采用氢氧化物共沉淀法合成了锂离子电池正极材料Li1.17Mn0.48Ni0.23Co0.12-Mg O2（=0，0.01，0.02，0.03，0.05......
通过溶胶-凝胶法合成正极材料LiNi0.5Mn0.5O2,为了提高材料LiNi0.5Mn0.5O2的高倍率放电性能,采用Mg进行掺杂。通过X射线衍射(XRD),......
通过第一性原理计算，研究了混合型位置Mg掺杂对ZnO晶体结构、电子结构和光学性质的影响。缺陷形成能计算结果表明：混合型位置Mg掺杂Z......
采用化学共沉淀法,得到不同比例的Mg和Ni均匀分布的氢氧化物沉淀,再以此为核,用Co（OH）2进行包覆,得到前驱体,和LiOH.H2O混合均匀后,......
采用碳酸盐共沉淀法合成了层状LiNi0.4 Co0.2MnMgxO2锂离子电池正极材料，对材料进行XRD研究表明，该材料具有a—NaFeO2（R-3m）结构。数据......
采用一步旋涂法在硅片基底上制备Mg掺杂MAPbI3薄膜,探究溶液老化时间对Mg掺杂MAPbI3薄膜成膜质量和发光性质的影响规律.利用SEM、X......
采用磁控溅射方法在硅和石英衬底上制备了纯ZnO和Mg0.04Zn0.96O薄膜．用XPd）和AFM表征薄膜的晶化行为和显微结构，用透射谱和光致发光谱......
采用化学气相沉积法（CVD）在导电玻璃衬底上制备了Mg掺杂的ZnO微纳米棒、微纳米球,实验过程不需要催化剂.X射线衍射仪（XRD）分析结果表明......
