直拉硅相关论文
利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明:随......
利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿......
影响单晶硅的性能的因素较多,其中包括氧含量及其均匀性,这些因素在硅晶体生长过程中不易控制.本文分析了直拉单晶硅生产过程中,对......
对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究 .结果表明 :经中子辐照后 ,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的......
研究了 p型含氮以及不含氮直拉 (CZ)硅中热施主 (TD)以及氮氧 (N- O)复合体的电学性质 .硅片在 35 0～85 0℃范围进行不同时间的退火......
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids......
研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ ......
研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响 .通过不同温度高温退火后 ,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微......
快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光......
利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,......
研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64h过程中的氧沉淀行为.结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的......
通过傅立叶红外光谱仪（FTIR）技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷——双空位（V2）退火行为，主要研究了不同中子辐照剂量对双空......
将直拉硅、微氮直拉硅样品在氮气氛保护下1100℃退火8h,以引入氮杂质。利用低温红外技术(20K)获得样品的精细光谱。试验发现,在285......
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本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷（A中心）的退火行为。实验发现，经200℃热处理后样品中均会出现......
受高能粒子辐射，在直拉硅中会产生各种辐照缺陷，对硅及硅基器件的性能产生不利的影响，对辐照缺陷的控制可以增加硅的辐照稳定性。......
论述了使用透射电镜来研究氧沉淀的形态与热处理温度和时间的关系.对氧沉淀的生成动力学,研究的现状和存在的问题以及发展前景也进......
系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展.主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质,利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术,重掺......
通过在不同条件下退火，研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响．实验结果表明，在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃......
研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响．实验结果表明，三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布，即表......
研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响，实验结果表明，经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高......
对快中子辐照的直拉硅分别进行了650℃和120℃快速（RTP）预热处理．450℃下不同时间热处理激发热施主，通过四探针测量电阻率和载流子浓度......
本文是对在多个深能级情况下求分布的理论的改进.原来的理论不适用于在Fermi能级与所研究深能级之间存在浓度与载流子浓度可以比拟......
应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀.实验表明:高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀,一是多碳中心的异......
氧是直拉硅单晶中最重要的非故意掺入的杂质,与此相关的氧沉淀一直是硅材料的重要研究课题。在某一温度下,氧沉淀在达到平衡状态后......
对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.......
用高频光电导衰减法 (PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响 .在 70 0～ 110 0℃范围热氧化不同时间 (0 .5～ 4 h)对直拉硅片表......
在硅片和器件制造过程中,作为过渡族金属之一的铜（Cu）有可能会沾污硅片。由于在硅中具有快扩散速率及固溶度随温度急剧下降等特性,Cu......
超大规模集成电路的高速发展对硅单晶材料提出了愈来愈严格的要求,控制和消除直拉硅中的微缺陷是硅材料开发面临的最关键的问题。......
太阳能发电被认为是解决能源短缺最有效的途径之一,近10年来,其产业规模正以超过30%的速度增长。为了满足大规模的应用,传统晶体硅......
深亚微米集成电路（ULSI）的快速发展对硅单晶材料提出了“大直径，无缺陷”的要求，使得大直径直拉硅的“缺陷工程”受到了巨大挑战。这主......
随着信息社会的不断发展，微电子工业对国民经济发展所起的作用越来越大。半导体硅材料是微电子产业的基础材料，也是信息技术产业的支......
放肩前形成一个完全无位错的晶核，等径生长过程使固－液界面平坦是硅无位错晶体生长保持过程中的关键问题。据此讨论分析了Ф４英寸＜１１１＞硅单......
霍尔效应测试是半导体测试技术中一种重要的测试手段,用于测量半导体材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等电学参数,在研究......
单晶硅是微电子工业的基础材料,广泛用于集成电路和功率半导体器件的制造,成为当今信息社会的基石。在可预见的将来,它仍将在信息......
集成电路特征线宽的不断减小对直拉（CZ）单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下,基于氧沉淀的内吸杂......
直拉硅（CZ）单晶广泛地用于集成电路的制造中,一个很重要的原因就是它具有与氧沉淀及其诱生缺陷相关的内吸杂（IG）功能。在器件制造的过......
硅材料是微电子产业的基础材料。随着超大规模集成电路(ULSI)特征线宽的不断减小，对直拉硅中杂质和缺陷控制的要求越来越严格。氧是......
直拉硅片的内吸杂对于提高集成电路的成品率具有重要意义。传统的高-低-高退火工艺,虽然能形成良好的内吸杂结构,但是不符合集成电......
本文中利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)、光学显微镜和透射电子显微镜(TEM)观察的方法,研究了辐照剂量、退火条件等因素对快中子辐照直......
电子辐照会在晶体硅中引入点缺陷空位和间隙原子，它们与硅中氧原子或者缺陷之间相互作用形成VO、VO2等空位型缺陷。因此研究单晶硅......
集成电路特征线宽的不断减小使直拉硅单晶中的微缺陷的控制变得越来越重要。随着硅片直径不断增大以及磁控拉晶技术的应用,硅中的......
直拉硅经电子辐照后,进入硅中的电子会与硅原子发生碰撞从而产生间隙原子(硅)和空穴等缺陷,这些缺陷之间会发生相互作用,从而产生......
电子辐照在硅单晶体内产生的缺陷主要是点缺陷,这些缺陷在一定的热处理条件下相互作用或与硅中的杂质原子相互作用形成复杂的缺陷......
