在深入分析共振隧穿二极管(RTD)开关前后内阻变化和RTD串联组合中不同RTD电压分布随总偏压变化的基础上,深化了"遏止(Quenching)"......

设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bista......

在"共振隧穿器件概述"的基础上,对共振隧穿器件应用电路作了全面概括的介绍.首先对共振隧穿器件应用电路的特点、分类和发展趋势作......