NDRHBT及其构成的单-双稳转换逻辑单元

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pygta

【摘要】

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设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)

【作者】

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郭维廉关薇牛萍娟张世林齐海涛陈乃金王伟

【机构】

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天津工业大学信息与通信工程学院天津大学电子信息工程学院安徽工程科技学院计算机与信息工程系天津工业大学信息与通信工程学院天津300160天津大学电子信息工程学院300072300160241000

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

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异质结晶体管负阻器件单-双稳转换逻辑单元 heterojunction bipolar transistor（HBT） NDR devices mono

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设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似的逻辑功能。

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