负阻器件相关论文
新型的共振隧穿二极管（Resonant Tunneling Diode）由于其具有低功耗、高速以及特殊的I-V曲线特性,让其在振荡电路、逻辑器件、无线通......
在回顾了多值逻辑（MVL）电路的优点、分析了共振隧穿器件（RTD）电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻......
本文介绍的晶体三极管在振荡电路中的运用，并不是指通常的振荡电路中晶体三极管作为放大器件加上正反馈回路产生振荡，而是超常规地将......
非线性电路与系统中混沌现象的研究通过鉴定由信息所吴景棠教授主持的国家自然科学基金项目＂非线性电路与系统中混沌现象的研究＂，今年......
介绍了一种对双向Ｓ型负阻器件进行二维数值模拟的方法，并用此方法模拟得出器件的Ｉ－Ｖ曲线及截止状态和导通状态下器件内部电位、电子空穴......
本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的......
本文用负阻概念分析了微波晶体管振荡器的基本工作原理及设计方法，着重讨论了微波振荡器的电路特性，给出了精确可靠的数学模型，并编写......
对包含晶闸管这一双稳负阻器件非线性电路交流响应的研究发现，在一定的工作条件下，电路出现倍周期分岔和混沌以及间歇混沌现象．对实验......
固体放电管是基于晶闸管原理和结构的一种两端负阻器件。可以吸收突波，抑制过高电压，达到保护易损组件的目的。该器件是在硅单晶片两......
提出了一种基于黄金分割法和二分法寻查思想的一维积分来实现二维积分的方法，此方法能迅速而精确地计算ＲＴＤ电流密度－电压曲线适用于ＲＴＤ及其......
全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能，为进一步开发应用这类器件奠定了基础。
A comprehensive introduction of ......
Hittite Microwave公司开发出一对GaAs/InGaP HBT MMIC压控振荡器(VCO),VCO与电阻、负阻器件、变容二极管及缓冲放大器集成,其工......
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHB......
介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(com......
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一个中心振荡频率为2.46GHz的负阻补偿型LC压控振荡器。该压控振荡器采取差分负阻结构,利用反型......
由于各种隧道二极管可以使得所组成的线路十分简单,因而促进了在数字技术方面负阻器件的研究。最近,已经有人报导了只使用一个隧......
一、引言UJT(单结晶体管)是大家熟知的一种具有电流控制式微分负阻器件。图1是 UJT结构的等效电路和特性曲线图。
First, the in......
单结晶体管也称双基极二极管,简称UJT。由于它是一种电流控制型负阻器件,所以用途很广,可以组成自激多谐振荡器、单稳和双稳电路......
兰大技革组已从实验上发现,只要时3AG63锗合金扩散晶体管进行适当地脉冲“处理后”,它的Ⅰ-Ⅴ特性就具有典型的负阻特性。文中探讨......
日本松下电气公司基于两个互补场效应管的功能集成,已研制出一种电压控制的负阻器件。这种器件的峰谷电流比为10~5,较之隧道二极......
本文讨论了在CaAs 体效应器件中由于阴极附近深凹槽的掺杂分布引起的静止畴的超宽带负阻,在这一模型中电场分布不再是通常的三角形......
本文提出了一种新的,能够产生电流控制型负阻特性的CMOS集成电路结构,并进行了理论分析,导出了负阻特性的特征参数表达式.实验结果......
在半导体器件的发展史上,曾出现过多种负阻开关器件.但是能够成为一种实用化的、并在脉冲电路中获得广泛应用而具有生命力的负阻......
本文讨论了微波晶体管振荡器的原理与设计方法,给出了必要的设计公式,以及利用散射参数的方法进行微波振荡器计算机辅助设计的程序......
双向负阻晶体管(BNRT)是辽宁朝阳无线电元件厂和中国科学院半导体研究所合作制成的一种新功能器件.用BNRT实现的一些自激脉冲振荡......
周旋:研究员.1962年毕业于南开大学物理系,1982年获德国工学博士学位.曾参与我国第一颗、第二颗人造卫星的研制,与李凤银等合作发......
本文提出了双调谐回路是实现宽带微波和毫米波IMPATT功率放大的有效方法,在对放大器的小信号和大信号特性分别进行了详细的理论分......
在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ（ＣＥ０）≥１２０Ｖ，Ｉ（ＣＭ）≥２Ａ，ＲＮ≈５０～１１０Ω，Ｐ（ＣＭ）≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流......
三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＥＧＩＴ是在栅控晶...
Surface-Contr......
三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。一般情况下它是以一横向ｐｕｐ双极管作为反馈器......
用半导体放电管保护通信设备彭延凤，郑小鹿半导体放电管是在最近五、六年中发展起来的新型过电压保护器，它是基于可控硅原理和结构的......
从对本体GaAs电子转移效应的广泛研究中,已发展起来一种新型的负阻器件。在连续波反射型放大器中应用此两端器件有可能提供几个倍......
将硅光电负阻器件与发光二极管封装在一起,利用硅光电负阻器件的双稳和自锁特性,制成了一种新型的非线性阈值可调光传感器。研究表......
随着人们对短距离无线通信速率要求的不断提高,UWB技术受到越来越多的关注。其中射频发射和接收技术是其中的一个重点和难点。本论......
在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型......
The MOBILE is a logic element realizing the monostable-bistable transition of a circuit that consists of two resonant tu......
１．引言图１两种典型的负阻特性（ａ）电流可控型（Ｓ型）（ｂ）电压可控型（Ｎ型）据《电子产品世界》（１９９５年６月、１１月）报道，于１９９０年公开了早在五年前由俄国传感器专家ＶＺＯＴＯＶ教授......
本文提出了一种利用Ｌａｍｂｄａ型负阻器件结构，通过控制ＪＥＥＴ的夹断电压而得以的新温敏开关器件。它在室温附近有较高的灵敏度，可应用在超温报警过热......
模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型......
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲......
本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟......
