负阻器件相关论文
新型的共振隧穿二极管（Resonant Tunneling Diode）由于其具有低功耗、高速以及特殊的I-V曲线特性,让其在振荡电路、逻辑器件、无线通......
Hittite Microwave公司新近开发出一对GaAs/InGaP HBT MMIC压控振荡器(VCO),VCO与电阻、负阻器件、变容二极管及缓冲放大器集成,......
随着人们对短距离无线通信速率要求的不断提高,UWB技术受到越来越多的关注。其中射频发射和接收技术是其中的一个重点和难点。本论......
在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型......
在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻......
设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bista......
文章介绍了由一级放大器实现的负阻抗变换器的工作原理。以软件Multisim2001为平台,对负阻抗变换器的一些应用电路的性能进行了仿......
介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件,并且对该负阻器件的温度特性进行了分析,为设计具有温度稳定性的......
负阻器件由于在电流一电压特性曲线中表现出独特的负微分电阻特性，从而大大增加了单个器件所能实现的逻辑功能．如果将其用于数字逻辑......
设计并研制成功了具有电阻栅结构的n—InGaP／p—GaAs／n-GaAs负阻异质结双极晶体管．研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导；得到了恒定......
研究了有机染料掺杂聚合物薄膜器件的J-U特性,发现存在明显的负电阻现象.制备了不同结构的有机染料掺杂聚合物薄膜器件并进行了能......
本文利用Tl-2212超导薄膜制作出了的本征约瑟夫森结型负阻器件.对于4μm长3μm宽的微桥型负阻器件,峰值电压为0.09V,峰值电流为1.4......
介绍用运算放大器来构造特殊V-I特性曲线的负阻器件,用这些特殊的负阻器件来实现混沌信号发生器.......
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件--硅光电负阻器件.文中报道了该器件构成的......
双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存......
本论文包括了InGaP/GaAs基和AlGaAs/GaAs基超薄基区负阻HBT、双基区负阻HBT、电阻栅型负阻HBT以及基于化合物异质结构的S型双向负......
本文研究了双向负阻晶体管(Bidirectional Negative Resistance Transistor,简称BNRT)在张弛振荡电路中的动态伏安特性。借助动态......
随着CMOS集成电路的不断发展,集成电路的集成度不断增大,时钟频率越来越高,功耗也随着急剧增加。集成电路过高的功耗对设备的散热......
本论文围绕着“负阻异质结晶体管的研究”这一科研项目,对InGaP/GaAs体系和AlGaAs/GaAs体系超薄基区负阻HBT、InGaP/GaAs体系双基......
