场截止相关论文
IGBT具有GTR和MOSFET各自的优势特点,具有MOSFET的输入阻抗高、其驱动电路简单、开关速度快、驱动功率小等特点。在直流电压为600V......
学位
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)具有导通压降小、电流密度大、耐压高、开关速度快及热稳定性好等优......
尽管第5代IGBT已经成为电力电子行业的主流产品,但是却始终未能实现国产自给,主要原因是核心技术未能实现自主化。本文针对生产第5......
开发出场截止型IGBT并深入研究了场截止型IGBT的核心技术和关键工艺.相比非穿通型IGBT,通过场截止层的形成,芯片厚度降至105 μm,......
针对场截止型功率器件的开发,进行了质子在硅中多重注入的关键工艺研究。质子注入后经过400℃的退火激活,在硅衬底中形成了n型掺杂......
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介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损......
研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身......
