质子注入相关论文
H9注入锗酸铋(Bi4Ge3O12或BGO)晶体引起某些效应,如辐射损伤,光学吸收和近表层区域的晶体分解.经H9注入后,BGO晶体的颜色变成棕色,......
亚暴是内磁层演化的重要驱动源。亚暴注入的热粒子能够激发等离子体波动并通过共振或非共振作用影响内磁层环电流和辐射带的演化。......
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置......
报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频DFB激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用 ,并减小了限制层的寄生电容 ;DFB激光......
采用正电子湮没寿命方法研究了质子辐照在国产改进型316L不锈钢中产生的氢气泡及其随注入质子注量的演化过程.经5×1012cm-2、5×1......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度......
摘要 本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进 行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对 禁带......
期刊
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同......
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(500μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相......
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置......
本工作利用实验测得的固体靶中15N(p,α)12C反应的截面数据,对氮钼(Mo15NX)、氮钛(Ti15NX)、钛(Ti)、钼(Mo)、氘化钛(Ti2HX)、氢化......
质子注入型面发射激光器相干耦合阵列能够实现同相模式的激射,但是由于制作过程中的工艺不均匀性引起单元间存在相位差,影响光束的......
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列的方法，实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分......
利用质子注入和快速退火技术改变ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱能级分布，使量子阱红外探测器的光电特性发生变化，在较大地移动了探测波长的同时，探测器的响应......
本文论述质子注入等平面GaAs梁式引线混频管的特点、器件结构及工艺途径.根据理论分析及实验,采用厚度合适的选镀金层作为掩蔽膜,......
针对场截止型功率器件的开发,进行了质子在硅中多重注入的关键工艺研究。质子注入后经过400℃的退火激活,在硅衬底中形成了n型掺杂......
通过建立数值模型,分析了垂直腔面发射激光器相干耦合阵列单元数量、单元间距、单元间相位差对光束质量及偏转角度的影响.仿真结果......
研究了质子注入对二硫化钼／聚芳醚砜（MoS2／PES—C）复合材料摩擦学行为的影响，并用红外光谱和X射线光电子能谱研究了质子注入引起的复合......
用110 keV剂量分别为1×1014ions/cm2、5×1014 ions/cm2、2.5×1015ions/cm2和1.25×1016ions/cm2的质子对聚芳......
报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频ＤＦＢ激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用，并减小了限制层的寄生电容；ＤＦＢ激光器的斜率效......
垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL）以其低阈值，低功耗，单纵模，调制带宽，易形成二维阵列和集成等特点，在......
本文介绍了室温质子导电玻璃及提高质子导电率的几种方法:H+注入法,sol-gel(溶胶-凝胶)工艺和复合强化法.与传统熔融-淬火玻璃相比......
本文报道了在高能Ｈ￣＋注入ＬｉＮｂＯ＿３晶体中新发现的一位于３５４５ｃｍ￣（－１）波数处的红外吸收带。该吸收带的峰位不受样品的化学配比、掺杂离子种类和掺杂浓度等因......
垂直腔面发射激光器(Vertical cavity surface emitting laser,VCSELs)是一种理想的面发射光源,具有光束质量好、单纵模、低阈值、......
近年来,随着激光技术的迅速发展以及“快点火”研究的逐渐深入,超短超强激光脉冲与等离子体相互作用得到了越来越多的关注。高强度......
在光子晶体垂直腔面发射激光器中采用质子注入工艺,使台面工艺变成纯平面工艺,降低了光子晶体结构制备难度,简化了器件制备,提高了......
报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用.p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率.在距离腔面25μm的区域内进......
期刊
本研究用能量为110 keV剂量分别为1×1014 ions/cm2、5×1014ions/cm2、2.5×1015 ions/cm2 和1.25×1014ions/cm2的质子对聚酰亚......
利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°......
