超结相关论文
功率MOSFET和以其为核心的功率集成电路是电力电子系统实现电能转化、电压变换的关键,广泛用于消费、工业、汽车及航空航天、军事......
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IG......
半导体器件仿真与设计是一门涉及半导体器件原理、微电子工艺、版图设计和专用仿真软件使用的课程。论文借鉴工程教育认证毕业要求......
期刊
由于宽禁带材料GaN具有高临界击穿电场和良好抗辐照性,受到功率半导体领域内研究者们的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ族化合物所具有的强极化效......
高压集成电路被广泛的应用于AC/DC转化、高压栅驱动、LED照明驱动等领域,应用前景广泛。作为高压集成电路的核心开关器件,LDMOS（Lat......
学位
氮化镓（GaN）因具有宽禁带、高临界击穿电场以及高电子饱和速度等特点被学术界以及产业界广泛地研究,基于GaN材料新型功率HEMT器件也......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）具有低导通压降、高载流子密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,常......
SiC材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优点,是制作功率半导体器件的理想材料。碳化硅绝缘栅双极型......
近年来,GaN基垂直型功率器件以其芯片面积小、击穿电压高、电流崩塌抑制能力强等优势而成为国内外研究的热点和焦点。然而,当前的G......
功率半导体器件作为电力电子系统中的核心元器件,从20世界70年代发明以来,一直在现代生活中扮演着重要的角色。传统的消费类电子产......
学位
击穿电压和比导通电阻是SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)LDMOS(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field ......
功率半导体器件在电能转换中起着至关重要的作用,特别是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),它被应用在许多领域,是不可或缺......
首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究.通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度......
提出一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术，并在横向双扩散MOSFET（LDM0s）上进行了实验验证。该技术采用一个轻掺杂的p-sub层，插入LDMO......
超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限，被誉为功率MOS器件的里程碑器件。本文对超结领域全球的相关专利技术进行分析，从申请趋势......
超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变......
非平衡超结器件的电荷补偿能力在薄层SOI器件中受到限制,文中提出一种具有T型电荷补偿区的器件结构。通过漏端刻蚀的PSOI结构使硅......
在功率半导体器件中，高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一，选用超结结构替代功率半导体器......
首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA—MEDICI仿真验证，超结IGBT耐压能力和正向......
对浮结型及超结型肖特基势垒二极管静态及动态特性进行了解析及模拟。静态特性通过解析击穿电压与导通电阻之间的关系得到。反向恢......
随着电子产品的日趋发展,市场竞争愈演愈烈,商家对功率器件产品的品质要求也越来越高,高品质低成本是目前电子产品市场里最核心的......
常规的硅器件结构达不到现在人们的需求，而且硅还受到自身材料的束缚“硅极限”[1]，因此人们建立了新型结构---超结结构[2]。超结结......
介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损......
本文基于从表面场到体内场优化的思想,综述了超结器件的基本理论与两类解析优化法.超结与一般功率MOS结构的本质区别是:前者为N/P......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为电力电子领域中的—’种典型开关器件,具有输入阻抗大、导通压......
基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂......
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit, HVIC)凭借高速、高集成度、高可靠性、抗辐照和良好的......
功率集成电路要求功率器件具有高功率、高速、低功耗和易集成的特点,横向功率器件作为功率集成电路的核心成为了研究的热点之一,其......
随着经济的发展,全球对电能的需求量在逐年增加。如今,中国已超越美国成为了世界上电能消耗量最大的国家,而且中国的电能消耗量的......
在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体......
为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si ......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是当今最具创新性的功率器件,是目前为止唯一将MOSFET和双极结型晶体管结合在单元胞中的器件。由于MOSFET......
为六角形超结VDMOS器件提出了一种结终端结构,该终端结构采用与有源区相似的六角形晶格结构,但P柱和N柱的宽度均为有源区原胞晶格......
超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)具......
功率半导体器件作为高效率电能转换的核心器件,是节能减排的基础关键技术。在全球绿色能源产业发展推动下,新能源汽车、智能家电、......
近年来,得益于芯片面积小、封装简便、出色的电流崩塌抑制能力等优势,垂直型GaN基功率器件已成为功率电子领域的一个重要研究分支......
学位
电力电子技术可以对电能进行处理和转换,并提高电能的使用效率,制作高效率低功耗的功率半导体器件对于节约能源和保护环境有着重要......
本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)的具体定义以及测量的方法......
超结MOSFET具有优越的静态直流特性。在已有成功设计600 V超结VDMOS经验的基础上,提出了相应的工艺方法。利用TCAD仿真软件,对主要......
为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结......
期刊
为了改善超结MOSFET功率器件的终端击穿特性,提出了一种平面结终端技术,应用柱坐标下的泊松方程证明了这种技术的可行性。提出了超......
简要地介绍了突破传统"硅极限"的超结器件发明的背景,以及产生的来由。描述了既用作漂移区又用作耐压区的各种超结结构的导通电阻......
基于内透明集电极(ITC)IGBT技术,提出了一种ITC超结IGBT(SJ-IGBT)结构。利用器件仿真工具,研究了SJ-IGBT的导通、开关、短路特性,......
