基底负偏压相关论文
单晶二氧化钒在68℃附近会发生可逆的半导体-金属相变,相变发生在飞秒时间内并伴随着光电性能的骤变。这样的特性使得二氧化钒可以......
随着现代社会的高速发展,环境污染和腐蚀对社会经济和工业生产带来的损失和影响变得越来越严重。对于清洁可再生能源的开发、环境......
利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结......
采用多弧离子镀技术在Ti(C,N)金属陶瓷基体上沉积了TiSiN涂层,用X射线衍射仪、扫描电镜、显微硬度仪和划痕仪等实验手段研究了基底......
利用反应磁控溅射制备AlN薄膜,研究了基底负偏压对薄膜结构及其性能的影响.XRD和SEM结果表明:用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,负偏压......
直流磁控溅射法制备不同基底负偏压下的CrN薄膜,采用XRD分析薄膜相结构,EDS分析薄膜表面成分,SEM观察薄膜表面形貌,并对偏压作用机......