射频溅射相关论文
本文以自制掺Ce3+钇铝石榴石（YAG）荧光粉为原料经烧结得到陶瓷靶材,利用射频溅射法在石英基片上制备薄膜,氩气工作气压为3Pa,随后在......
介绍了RF溅射冷压法制备的PZT陶瓷粉末靶和块状靶制取PZT薄膜的过程。二种方法避开了热压法制作PZT陶瓷块状靶的复杂工艺及昂贵设......
分别采用射频溅射和射频反应溅射方式在AZ31镁合金表面制备了氧化铌涂层，并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、......
在过去的几十年中,氮化硼（BN）由于其卓越的特性和新颖的晶体结构在多个领域有着广泛的应用。这些应用包括绝缘润滑剂、气体存储材料......
用反应射频溅射法和涂敷法在导电玻璃上制备TiO2薄膜,并用Ar射频等离子体对TiO2薄膜进行处理.按"三明治"结构将TiO2工作电极、Pt......
在高温、高真空或高低温循环等苛刻条件下,液体润滑剂由于无法满足使用要求使润滑剂面临严峻的挑战。在这些环境中,固体润滑膜可以......
设计了一种Si基金刚石薄膜上的SAW RF MEMS滤波器,其中心频率为400MHz,叉指换能器(IDT)线宽为5μm。采用中物超硬材料公司定制的硅......
高温超导材料因其得天独厚的材料性能而使得它具有广泛应用的潜力，而第二代高温超导带材是这一应用的最主要体现形式。本文主要研究......
用射频溅射法制备了金属／半导体Fex（In2O_3）(1-x)颗粒膜．用XRD，TEM辅以磁性测量研究了该系列颗粒膜的微结构实验结果表明，纳米尺度的Fe颗......
玻璃基片上的ＳｉＯ２膜已在液晶显示器件制造业中得到了广泛应用。ＳｉＯ２膜的性能在很大程度上决定了液晶显示器件的化学稳定性及使用寿命。ＳｉＯ２膜致......
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度......
一、问题的提出 随着半导体器件向着小尺寸,高集成度方向发展,许多新的工艺技术比如电子束曝光、ⅹ-射线曝光、离子注入、射频溅......
本文报导了用电子束蒸发的方法,在GaAs衬底上制备Si_3N_4掩蔽膜的实验结果。在250℃～280℃下,用Cr激活的GaAs——Si_3N_4薄膜,附着......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,广泛地应用于太阳能电池、紫外探测器、LED等诸多领域。本文采用射频溅射的方法在ITO导电玻璃......
石墨烯是碳的一种同素异形体,它是由碳原子在一个平面内单层排列而成的一种二维(2D)晶格结构。由于其独特的结构,石墨烯表现了许多......
论文内容分为两部分:第一部分,研究了氧分压、退火对氧化铋薄膜的结构和光学性质的影响.第二部分,利用光学矩阵法探讨介质层厚度、......
本研究采用射频溅射法制备了氢化纳米硅薄膜，通过原子力显微图像、X射线衍射、拉曼谱测试以及电学性能测试，深入讨论了纳米硅薄膜的......
随着光电子技术和薄膜技术的共同发展,多晶硅锗薄膜日益受到研究者的重视,在光电集成、微电子以及薄膜太阳能电池等领域都渗透着硅......
该文作者采用射频反应溅射方法制备CN薄膜.系统地研究了溅射条件(溅射气体、溅射功率、衬底材料、衬底温主工、衬底偏压等)对沉积C......
人工薄膜的出现是20世纪材料科学发展的重要标志。自70年代以来，薄膜材料、薄膜科学、与薄膜技术一直是高新技术研究中最活跃的研究......
学位
单片式非制冷红外焦平面阵列（UFPA）技术的发展需求对开发新型性能优良的铁电薄膜及其低温制备技术提出了迫切要求，由于（BaSr）TiO3（简称BS......
镧系稀土锰氧化物 La1-xSrxMnO3(LSMO)具有天然钙钛矿晶体结构， 理想LSMO 是立方结构，但通常都畸变成正交结构或菱形结构。由于其具......
本文采用反应性磁控射频溅射法，在不同的氧分压下制备了NiOx膜，研究了其特性和变色机理。XRD结构分析表明，所制备的NiOx膜为多晶结构，......
本文首先对透明导电薄膜（TCO）的发展进行了总结，讨论了铝搀杂氧化锌薄膜（AZO）的性能优点，之后对AZO薄膜的晶体结构、搀杂、制备方法、用......
低维硅基纳米材料由于性能优越并且可以和现有的硅基平面工艺相兼容而具有很广泛的应用前景。本文对于两种低维硅基纳米材料——Si......
硅碳氮薄膜具有优异的光、电和机械性能,预计在微电子和光电子领域有良好的应用前景。由于硅碳氮薄膜独特的发光性能和从可见光到......
TiAl系合金具有低密度、高比模量、高比强度、良好的抗蠕变能力和抗氧化性能等优点,这使其成为航空航天和汽车发动机耐热结构件极......
铁电薄膜具有优良的铁电、介电、压电、热释电等一系列特殊性能，可以利用这些特性制作不同的功能器件，人们希望通过铁电薄膜材料与其......
立方氮化硼(cBN)具有优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型掺......
氧化锌（ZnO）是一种重要的宽禁带（Eg＝3.37eV）半导体材料，其激子束缚能高达60meV，而掺Al的ZnO（AZO）薄膜在室温紫外光电器件方面有巨大的应用潜......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学陛质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型掺......
BST薄膜具有高介电系数、低漏电流密度、居里温度可调以及优异的热释电性能等优点,可被广泛应用于非制冷红外探测器、动态随机存储......
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)是一种钙钛矿结构的铁电材料,具有高介电常数、低损耗、低漏电流密度、电压非线性强等优点,尤其该......
本文研究了溅射沉积工艺参数对Pt电极上沉积BST组分梯度薄膜微结构与电学性能的影响。实验表明:BST组分梯度薄膜晶粒大小和晶化程......
氮化镓（GaN）作为第三代直带隙宽禁带半导体材料，具有热导率高、饱和电子速率高、介电系数小、耐高温、化学性质稳定、机械性能好等特......
探测器及其制造技术广泛地应用于军事、科技、民用等研究领域.随着越来越高的需求和半导体材料制备技术的发展,机械性能好、化学稳......
该文主要研究cBN薄膜的制备、光学带隙以及BN(n-type)/Si(p-type)异质结的特性.使用射频溅射(RF)系统,靶材为烧结的六角氮化硼(hBN......
立方氮化硼(cBN)是一种超硬宽带隙材料,不仅具有仅次于金刚石的硬度、在高温下有强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应,因此可用于......
氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体材料(晶体常数a=0.3250nm,c=0.5206nm,室温下的禁带宽度约为3.30Ev,激子束缚能约为60mev),具有优......
微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT......
本文研制了一种较高档的磁控溅射镀膜设备,用于微电子器件规模化生产过程中的基片表面镀膜。该设备采用双真空室结构,使溅射室始终......
电子回旋共振波(ECWR)技术于20世纪70年代提出,是利用电磁波与电学各向异性材料(如带有外加静磁场的低压等离子体)的相互作用来产......
利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结......
研究了强磁场对射频溅射沉积Fe-Si-O薄膜的微结构和磁性能的影响. 在O2流量比小于1.0%、外加磁场低于1.0 T的溅射条件下, 得到了中......
用反应射频溅射法在导电玻璃上制备TiO2薄膜,并用Ar射频等离子体对TiO2薄膜进行处理。利用XRD、XPS、UVVIS透射光谱和AFM等测试手......
通过对射频(RF)放电电压电流以及其相位角的精确测定,结合射频放电的物理模型与等效电路,对金属铜和金电极He气中的射频放电进行实......
