多碱光电阴极相关论文
研究了多碱光电阴极光谱响应峰值位置移动技术。利用多碱光电阴极多信息量测控技术,可以控制光电阴极光谱响应峰值位置,以满足不同......
利用785 nm波长激光作为激发源，测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯......
研究了Ｎｅｗ Ｓ２５与ＬＥＰ＾＊光电阴极的光谱响应特性。从理论上分析了光电子逸出深度，光电阴极结构参量和光电阴极厚度对光谱响应特性的影响。并对实......
光电阴极的材料决定了光电发射的量子效率、暗发射电流和出射电子能量分布等重要性能.本文介绍各种类型的光电阴极发射材料,包括碱......
该文针对多碱光电阴极和NEA光电阴极研究中存在的问题,结合国家八五行业项目《特种光学薄膜镀制技术——高性能多碱光电阴极工艺及......
该文针对国产二代增强器的背景大、信噪比低、成品率低,在低照度下的噪声性能差 的现状,在实验和理论以及工厂实践中用温差工艺对......
利用785nm波长激光作为激发源，测量了超二代微光像增强器Na2KSb（Cs）多碱光电阴极的荧光谱．试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯型曲......
利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势.Na2KSb、Na2KSb+Cs和[Na2KSb+Cs]+Sb+Cs的电子亲和势......
多碱光电阴极饱和机理的研究对于提高阴极电子发射能力具有重要意义。依据光电阴极三步电子发射理论,采用蒙特卡洛法研究了多碱光......
ＩｎＧａＡｓ 光电阴极像增强器的光谱为１－０ ～１－３μｍ 和１－０ ～１－１μｍ 。对用于像增强器中的ＩｎＧａＡｓ 光电阴极进行了研究。研究的方法有：光致发光法、微型瑞曼法、扫描俄歇......
该文介绍了在一代像增强器多碱阴极制备过程中，对其光谱响应进行连续监控的装置、试验结果等，并作了简单的分析。研究结果表明，Ｎａ２ＫＳｂ材料在......
4×4矩阵阳极微通道板光电倍增管由金属陶瓷管壳、多碱光电阴极、"V"型微通道板和4×4矩阵阳极构成,电子光学系统为双近贴聚焦结构......
多碱阴极制备中，中间层的形成是一个重要的工艺过程，其质量好坏直接关系到成品阴极。该文利用自动光谱测试仪研究了多碱光电阴极制备......
根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在０．４～０．５μｍ之间光电流减少这一事实，分析了Ｃｓ处理多碱光电阴极的厚度。结果表明：第一次Ｃｓ处理，０．４μｍ处的光电......
<正> 一、前言一些人研究了萨默(A·H·Sommer)发现的Sb-K-Na-Cs多碱光电阴极(S-20)的加工规程和性能。他们得出了获得最大光电灵......
介绍了一个目前国内外公开文献报导中输出电流最大、电流增益最高且具有门控选通功能的微通道板光电倍增管 ,该管采用了大直径输入......
阐述了多碱光电阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线的测试原理 ,这些参量的获得对分析、指导阴极工艺是很有价值的。介......
阐述了像增强器的单色光反射率、光谱响应曲线、单色光电流的测试原理。介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统，该系统可在像增强器制......
论述了Na2KSb(Cs)多碱光电阴极光电发射过程的表征和测量,提出了利用荧光谱来表征光电阴极电子跃迁几率的方法。在同样工艺条件下......
针对多碱光电阴极进行了理论建模和性能模拟,采用层状模型:Na2KSb+K2CsSb+Sb·Cs偶极层,讨论了各层厚度、掺杂离子浓度对多碱阴极......
碱锑光电阴极制备工艺简单，成本较低，响应时间短，在可见光及近红外范围（如多碱阴极300-850nm，双碱阴极300-650nm）有较高灵敏度，在象增强器......
采用蒸镀法,分别通过单次蒸Na和多次蒸Na两种工艺制备了一系列未经激活的Na2KSb基底层,并通过3种不同的Cs-O激活方式对其进行表面......
