半导体化合物相关论文
本实验应用非自耗真空电弧熔炼和真空固态反应方法制备CuIn(1-x)RxTe2(R=Eu,Gd；x=0,0.1,0.2,0.3)合金.应用X射线衍射仪测试了各......
光催化环境净化被认为是治理环境污染的最有效的途径之一.多金属氧酸盐作为一种可溶的类金属氧化物半导体化合物,其光催化性能......
ZnGeP2(ZGP)属于AⅡBⅣCⅤ2型黄铜矿结构半导体化合物,四方晶系,I-42d空间群[1]。具有非线性系数大,热导率高,透过范围宽,机械......
CdTe系列半导体化合物，是一种新型的χ和γ射线探测材料，被广泛的应用于医学成像、空间探测、核安全检查等领域。垂直布里奇曼法......
近年来，新型材料层出不穷，六方氮化硼单层、氮化硼纳米管、碳纳米管、石墨烯等作为低维材料中的代表，在自旋电子学、纳米电子器件等领......
Zintl相化合物是指一类特殊的极性金属间化合物，常形成于电负性差异较大的金属元素之间，由于其具有独特的电子能带结构，因而拥有......
发展在可见光照射下能够分解水的半导体光电极材料仍然是太阳能利用领域极具挑战的任务。过去四十年来,探求该类材料的努力包......
将半导体纳米氧化物TiO2、Cu2O 修饰到旋转环盘电极（RRDE）的Pt 盘电极 上，用动力学差示脉冲伏安技术（HDPV）原位检测了硝基苯酚在可......
金属有机物化学气相淀积(Metal organic Chemical Yapor Deposition)简称MOCYD,1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人提出制备化......
采用电化学控电位沉积的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形......
他们用第一性原理方法计算了ＣｄＳｉＡｓ〈，２〉的电子性质和光学性质。计算中他们采用了规范保持赝势方法。并用ｒａｎｄｏｎ ｐｈａｓｅ ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ（ＲＰＡ）方法计算了宏观介电函数和其......
提出了一种消除激光化学诱导液相腐蚀晶体取向影响的新方法———两步腐蚀法。激光化学液相两步腐蚀法实质上是加长非晶向方向图形......
ZnS是具有大直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物,室温下其禁带宽度为3.68ev。当纳米ZnS粒子的粒径小于其激子波尔半径(5nm)时,它能够呈......
含有过渡金属的磷族Zintl相化合物结构多样,性质丰富多彩,是近几年来科学家们研究的热门领域之一。这些化合物,在结构方面,涵盖了......
在Ⅳ到Ⅵ族半导体化合物中，硫化铅作为一种重要的半导体材料，具有很小的直接带隙(0.41eV，300K)，较大的激子玻尔半径(18nm)与非线性光学......
随着当今信息传输量急剧增长,全光通信网络已成为未来通信网络发展的方向。在全光网络中,光交叉连接设备(OXC)与光分叉复用设备(OA......
近年来，类石墨相氮化碳(g-C3N4)被证明是多功能的非金属异质催化剂，由于其具有高稳定性，有趣的电子结构以及宽的带隙(依据结构的变化......
K4Nb6O17是一种二维层状结构半导体化合物，由于它特殊的层状结构及化学特性在光催化领域受到了广泛关注。但其禁带宽度较宽，对可见光......
半导体化合物CuInSe2是铜铟硒薄膜太阳能电池吸收层的基本材料,通过对CuInSe2材料的掺杂,可以有效的提高CIS太阳能电池的转换效率,......
提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17 eV是直接的,其它......
提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法———次序选择腐蚀法。次序选择腐蚀是指在激光化学液相腐蚀中,腐蚀溶剂不是混合后同时作用于......
利用激光辅助合金的方法 ,生成InP表面AuGeNi InP合金 ,并形成良好的欧姆接触 ,上下表面面间电阻为5 .8Ω。研究了合金工艺参量 (......
<正> 前言人们予测21世纪将是全球性信息化时代。并认为:在21世纪将会出现人类中心社会,高效率生产社会,独立的区域性社会以及国际......
自1962年,发红光的磷砷化镓半导体化合物在IBM、GE等产业巨头的联合实验室开发出来,有关LED（发光二极管）应用的研发和产业化进程便一......
自1962年。发红光的磷砷化镓半导体化合物在IBM、GE等产业巨头的联合实验室开发出来，有关LED的研发和产业化进程便一直不间断地推进......
计算被执行了为三锌闪锌矿 II-VI 半导体混合物调查导致压力的稳固固体的阶段转变和机械稳定性：ZnS， ZnSe，由 ab initio 飞机波浪 pse......
GaS是一种具有六方层状结构（P63/mmc）的半导体化合物，类似于石墨。多年前的理论计算表明GaS层状结构也可以弯曲形成稳定的管状结构。......
报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,将金属镓放置在氨气氛中1 000......
在实际的 PD 中,在 P 层和 N 层之间还夹入一个本征层(i 层),因而也称之为 PIN—PD(Positive—Intrinsic—Negative PhotoDiode)。......
在室温下,运用反射椭偏光谱技术,对生长在砷化镓上的铝镓铟磷以及铝镓铟磷(掺硅)两样品进行了研究.测得它们在可见光区的光学常数,......
提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法--抗蚀膜掩蔽法.抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制.理论分析......
近日，中科院物理所和金属所合作，共同参与搭载我国第22颗返回式卫星进行空间微重力实验。在空间微重力环境下，观察了银基合金和半导体......
来自波士顿学院、麻省理工学院、克莱姆森大学和弗吉尼亚大学的一个研究团队已经成功改良一种普通半导体材料的热电性能高达90%,开......
利用金属预制层硫化法制备出黄铜矿结构的CuAl1-xNixS2多晶薄膜。Ni对Al的取代导致晶格膨胀,晶胞体积从x=0的0.294 0 nm3增加到x=0......
本文分析了碲镉汞(HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系.MCT中的Te沉淀......
最近，利用低温梯度分布（＜１０Ｋ／ｃｍ）进行半导体化合物的晶体生长受到重视。在无籽晶生长时发现在尖端区严重过冷。这种过冷效应取决于熔态的过热......
锗硅（Si1-xGex）是硅和锗通过共价键结合形成的半导体化合物，是这两种元素无限互溶的替位式固溶体。锗硅一般有非晶、多晶、单晶和超晶......
数据挖掘是当今信息科学研究的一个热点，其涵义是综合运用多种算法，对来自多种渠道的大量数据进行计算机处理，通过去粗取精、去伪存真......
