量子效率相关论文
高动态范围显示技术是用来在显示设备上最大限度地还原自然场景动态范围的技术。为了提升显示器的动态范围,人们致力于提升显示器......
理论研究表明，高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了......
碳点（CDs）作为一种新型的碳纳米荧光材料，因具有易制备、光学性能稳定、低毒和良好的生物相容性等优点而备受关注。然而，其荧光性能调......
本文主要围绕透射式变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极量子效率理论模型、结构设计和光电发射性能等方面展开系统研究。基于光电发......
本文从光子增强热电子发射效应（PETE）在太阳能方面的应用开始分析,对其中的核心组件负电子亲和势砷化镓（NEA GaAs）光电阴极的工作原理......
近年来,卤素钙钛矿纳米晶作为一种明星半导体材料,由于其高量子效率、较高的载流子迁移率以及高X射线吸收率等优异的特性,被认为是......
光催化作为一种绿色高效的高级氧化技术,通过将太阳能转化为化学能,实现对难降解有机污染物的去除。Z型异质结光催化剂能维持光生......
随着白光发光二极管（WLEDs）流明效率的不断提升,对其发光光谱及照明质量提出了更大要求,高性能全光谱WLEDs已逐渐成为主流照明发展方......
光是植物生长的能量来源,现代设施农业需要大量的人工光源来对植物进行补光。传统光源如高压钠灯、荧光灯和白炽灯的发光区域不能......
随着高性能和高集成度光电探测器的快速发展,高速光纤通信系统、军事领域和成像系统对高响应带宽和高量子效率光电探测器的需求越......
近几年,铅卤钙钛矿APbX3（A=CH（NH2）+,CH3NH+,Cs+;X=Cl-,Br-,I-）因其优异的光电性能已成为了光电器件中的明星材料。另一方面,在半导体......
近几十年来,为了适应无汞荧光灯和等离子平板显示（PDP）技术的发展,探寻新型量子剪裁荧光粉作为研究开发高量子效率真空紫外发光材料......
A new calibration method of detectors can be realized by using correlated photons generated in spontaneous parametric do......
分析了永久性光谱烧孔(PHB)材料成孔量子效率的测量原理,建立了相应的测试方法和装置.在液氦温度(4.2 K)下对聚合物基质PMMA(聚甲......
量子效率是电荷耦合器件(CCD)最主要的参数之一，针对目前CCD器件量子效率定标需求，提出了一种均匀光辐射法测量CCD器件量子效率方法，......
从理论和实验上介绍了一种基于相关光子的多模式空间纠缠特性新型定标方法，实现了光电倍增管的量子效率绝对定标。该方法利用355 nm......
利用超高真空制备技术，对以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品进行了光电阴极制备，并利用紫外光谱响应测试仪，对所制备......
提出了一种可以提高光电倍增管光电阴极量子效率的方法。通过分析光电阴极的光电发射过程, 从提高光子吸收率Pa和光电子迁移至真空......
本文用电子束感生电流像方法对Hg0.8Cd0.2Te光伏探测器量子效率在光敏面上的分布进行了测量,表明量子效率分布是不均匀的,在光敏面......
介绍了n~ -P型离子注入Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te光电二极管的敏面上外差量子效率分布函数η(x,y)的正则化分析方法,并通过CO_2相干激光......
为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强, 在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层, 制备了32×32元平面型InGaAs面阵探测器......
高温下半导体材料性能会发生变化，影响太阳电池光电转换效率。为了了解GaInP/GaAs/Ge 三结太阳电池在聚光和高温条件下的工作性质，研......
硅基正照式CCD探测器的紫外谱段响应普遍较低。针对如何提高正照式CCD在340 nm~390 nm谱段的紫外光探测性能进行了研究。在研究中，......
CMOS图像传感器常采用像元在奈奎斯特频率处的调制传递函数(MTF)值对成像质量进行评价。MTF主要由孔径MTF和扩散MTF的频域乘积得到......
研制了一种用于托卡马克等离子体可见光谱线测量的半导体光敏二极管探测器。这种探测器具有体积小、造价低、使用方便等优点，它具有......
研究了外腔反馈对内腔有效长度和内腔中光子态密度的影响，并对自混合干涉可能产生的作用进行了分析讨论。研究表明，外腔反馈光不仅改......
计算机网络和数字通讯技术日益迅猛的发展要求使超大容量的信息传输和超快速的实时信息处理成为信息社会光纤通讯领域两个方面重要......
负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极具有灵敏度高、暗发射小、发射电子能量分布集中等优点,是非常理想的新型紫外光电阴极。针对目前NE......
为了提高GaN阴极的紫外探测效率，提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构，采用超高真空（Cs，0）激活工艺进行......
基于光学天线原理,通过实验和数值计算研究了三角形银纳米颗粒膜对八羟基喹啉铝(Alq3)发光的猝灭。Alq3发光猝灭是由于光子能量与......
综述了近年来国内外可湿法加工有机小分子发光材料的研究状况,对可湿法加工有机小分子发光材料按发光颜色进行分类,对其分子结构特......
以在半透明金膜上生长的微晶金刚石薄膜作为空穴传导层，得到了以8－羟基喹啉铝（Alq3）为发光材料的有机薄膜电致发光。对器件的电流－电压......
我们研制了一种X射线象增强器透射式光电阴极，即高低密度夹芯结构的CsIX射线光电阴极，它的量子效率是高密层CsI的1～10倍．该技术应用于X......
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温......
从有机电致发光薄膜的发光机理出发，通过对单层Ａｌｑ薄膜器件、ＰＶＫ为空穴传输层和Ａｌｑ为发光层的双层薄膜器件以及ＰＶＫ掺荧光材料Ｐｅｒｙｌｅｎｅ的双层薄膜器件的研......
采用金属有机化合物气相淀积（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ Ｇ Ｒ Ｉ Ｎ）异质结结构的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ａｌ Ｇａ Ａｓ 应变双量子阱激光器。该激光器的......
分析了半导体光电探测器光谱响应度的测试原理； 研制了一套波长为０．４～１．１ μｍ 的光谱响应度测试装置。该装置采用双光路替代法， 可以测试绝对......
2001030057阻挡层结构的蓝色有机发光二极管[中]/朱文清…//半导体光电.-2001,22(1).-45—472001030058有机高亮度黄光发光二极管[......
介绍了紫外光通信系统的优点、原理及组成。为了提高探测器的量子效率和灵敏度,分析了几种典型的光阴极材料的光谱响应特性曲线,据......
内建电场对提高阴极量子效率有重要作用。为获得恒定的电场强度,需要用指数掺杂方式对光电阴极激活层进行掺杂。指数掺杂实际上是......
为了满足紫外光学遥感信息定量化发展的要求,构建了一套高精度真空紫外探测器辐射定标系统,以美国国家标准技术研究院（NIST）真空紫外......
随着光纤通信技术的发展,高量子效率、高速响应光电探测器在长距离高速光纤通信系统中的作用尤显突出。利用传输矩阵法(TMM)对新型......
利用自行研制的超高真空激活系统与表面分析系统,通过X射线光电子能谱(XPS)分析确定了采用的GaN(0001)化学清洗配方的有效性,并通......
空间失配角是影响外差探测的主要因素之一,很小的角度失配就会导致中频信号极为微弱。通过分析提出,外差信号的振幅可以视为探测器......
