完美晶体相关论文
目前,半导体器件已经发展到超大规模集成电路阶段。日本和美国都在相互竞争,为制作超LSI而努力。所谓超LSI,就是指超高速型电路(......
最近,日本东芝公司应用完美晶体(无位错、无缺陷的晶体)对完美晶体器件技术进行了研究,并且应用该技术使低噪声线性集成电路和晶......
为了制造象晶体管和集成电路这样的半导体器件,必须经过许多复杂的过程。由于制造过程限制了它们的电学特性,因此,为了发现新的工......
我们对能量从40keV～150keV,剂量从1×10~(15)离子/cm~2～1×10~(16)离子/cm~2砷离子注入〈111〉单晶硅,进行了H~+和He~+背散射沟道测......
叙述了Si低频低噪声器件的噪声性能.在低频工作时,器件的1/f噪声和猝发噪声占支配地位,并对其产生机理作了讨论.介绍了目前主要采......
完美晶体是改善器件特性和提高成品率的重要基础之一。然而,在器件工艺中,常常产生许多晶体缺陷。这些缺陷,有的来源于原始材料,......
一、概述完美品体的研究即常说的晶体微观缺陷的研究。晶体的完美与缺陷是对立统一地存在。晶体中存在着缺陷就叫晶体的不完美性,......
硅半导体平面器件的制作,随着完美晶体的应用,克服了原生缺陷,但由于在晶片加工过程中(如切、磨、抛),硅片表面的机械损伤、杂质......
先进工业国家在电子新材料的研究及应用方面发展很快,竞争激烈.日本1984年提出了电子材料综合开发计划;美国提出协同研究体制,特......
据日本《O Plus E》1992年第149期报道,日本电气公司在世界上首次成功地制作了以无缺陷完美晶体为材料的弗拉莱(7亏一卜)/)单晶超......
为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,......
通过拟合Mg的晶格能、晶格常数、弹性常数,并将其与前人的结果相比较后获得了描述Mg的最优长程Finnis-Sinclair(F-S)势函数参数,使......
从带电运动粒子受磁场的作用出发,在研究了硅粒子团的带电状态后,分析在不同方向的外加磁场中,运动的硅粒子团受磁场作用的情况,研......
介绍一种完美晶体器件（ＰＣＤ）低温ＢＮ扩散工艺。经本工艺处理后用化学方法腐蚀晶片，在显微镜下观察，表面缺陷如层错、位错极少。同时，由于在第一......
大多数合理药物设计的关键步骤是生产用于 X 一线分析的蛋白晶体和/或蛋白受体晶体.生产这些实验所需要的完美晶体常常是困难或不......
本文主要介绍了热力学第三定律建立的历史过程和几种不同的表述方法 ,并根据第三定律的结论 ,阐明了规定熵的概念和求算方法 ,最后......
本文是从统计角度入手辅以近年来科学研究成果,对较长时期应用的“绝对零度”,“完美晶体”,“绝对熵”,“热力学第三定律”等热力......
灯泡?你很熟悉吧!140年前,爱迪生用竹炭作为灯丝发明了世界上首个电灯泡,结束了蜡烛和油灯时代,人类从此进入了“光明时代”。15年......
Ｘ射线三晶衍射由于同时采用了单色器和分析器，因而能区分样品中由完美晶体部分对Ｘ射线的动力学衍射和由缺陷部分引起的运动学散射，还可......
<正> 近年来陆续出版和即将出版的几本无机化学,大学化学和普通化学教材,在“化学热力学基础”一章中,当介绍到体系的混乱度和熵等......
如果你最近频繁参加VC或PE圈的论坛、会议乃至饭局,那么“奇点”这个词一定是每个演讲嘉宾的PPT上都会出现的热词。不过,你千万不......
