宽禁带材料相关论文
近年来宽禁带深紫外光电探测器因其在众多应用领域备受需求成为研究热点。但其中材料薄膜的生长,器件的制备成本和性能以及制备过......
宽禁带材料是一种新型的材料,最大的特点是禁带宽度(Band gap)大、击穿电场(Breakdown field)高、热导率(Coefficient of thermal ......
采用DFT／B3LYP方法对低聚物（p-P）2n、（m-P）2n、（m-P1）n和（m-P2）n（n=1～4）体系进行了全优化，并用ZINDO．TD-DFT方法计算其吸收光谱性质．分析了各系列H......
用金属有机物气相外延方法在（０００１）蓝宝石衬底上生长了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ／ＧａＮ二维电子气结构。Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ（７００ｎｍ）／ＧａＮ（６００ｎｍ）异质结的室温电子迁移率达１０２４ｃｍ＾２／Ｖｓ，而ＧａＮ体材料的室温电子迁移率为３９０ｃｍ＾２／Ｖｓ；该异质结的......
电力电子在工业生产中的重要地位日益凸显,相对落后的技术水平常使相关产业的发展受到限制。功率半导体器件是电力电子产业的控制......
典型的宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具备击穿场强高、饱和电子漂移速率快及热导率高等特性,能满足现代功率器件在大功率场合、高频......
固态变压器作为能源互联网中实现能量转换和控制的关键设备,有很多方面需要进行深入研究,文章结合固态变压器的自身特点,对其主要......
