应变补偿多量子阱相关论文
该论文在能带工程的基础上,采用理论计算与实验基础相结合,用先进的MOCVD外延生长技术设计和生长了应变补偿多量子阱(SCMQW)结构材......
台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选择性湿法腐蚀......
利用新型全固源分子束外延技术,对1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究.在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP......
半导体激光器增益谱和线宽增强因子是直接评估器件质量的关键参数,可以直接反应器件结构和材料优劣。本文首先针对器件样品A测试器......
