湿法腐蚀相关论文
磁控溅射法制备氮化硅薄膜具有工艺简单、粉尘少等优点,氮化硅薄膜在微电子机械系统（MEMS）领域中可用作腐蚀掩蔽层和力学结构层。以......
在经济和科技都在迅速发展的时代,人们的生活中出现了种类繁多的电子产品,这些电子产品广泛应用于通信、军工、教育、医疗等方面。......
湿法腐蚀是微机械加工技术中的关键工艺之一,具有腐蚀速率快、选择性和均匀性好、设备简单、可批量生产等优点,因此在微结构的释放......
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体......
超表面是一种二维人工材料,由亚波长尺度的单元结构组成。它的出现实现了对电磁波振幅、相位以及偏振等特性自由而高效的调控。相......
利用飞秒激光辐照结合湿法腐蚀方法，制备了高纵横比硅基狭槽。首先利用透镜聚焦飞秒激光至硅片表面，在硅内部诱导结构变化；再结合氢氟......
In the process of silicon wet etching, the SiO2 film formed by thermal oxidation is firm and compact, and it is an excel......
对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究, 报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法......
开展了 InAs基 InAs/Ga(As)Sb II类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在In......
晶体材料微加工技术是制备微电子器件、微机电系统器件的关键技术。飞秒激光辐照结合湿法腐蚀加工技术不仅可以去除飞秒激光诱导微......
制备SiO2腐蚀溶液BOE,对SiO2湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析.首先分析了光刻工艺对SiO2薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形......
提出一种采用铜薄膜作牺牲层去除负性光刻胶残胶的方法,利用铜薄膜在湿法腐蚀过程中的侧蚀现象,将基底的平均残胶量从13.4个/mm2减......
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺(lift|off)用于TiNi薄膜图形化的可行性，并首次利用溅......
针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以......
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通......
微构龙科技(MST)致力于氢氟酸气相腐蚀工艺配套装置的研发和生产。氢氟酸气相腐蚀是介于干法腐蚀和湿法腐蚀之间的一种腐蚀薄二氧......
采用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响,并利用原子......
InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果......
白光发光二极管(LED)是近年来发展迅速的可见光LED，因其具有节能、高效、寿命长、无污染、瞬时启动和快响应等优点，因此是LED产业中......
千兆赫兹(GHz)超短脉冲的脉冲宽度在皮秒(ps)至飞秒(fs)之间的量级,具有较高的脉冲重复频率,宽的频谱和较高的峰值功率。它们用于......
金属卤化物钙钛矿是近几年来倍受关注的一类半导体材料,它具有卓越的光电性能,如超强的光吸收能力,超长的光生载流子寿命及载流子......
本文论述了不使用粘附剂进行光刻某些材料的新方法——正胶低温显影技术.应用低温显影技术可以相对地增加正胶的粘附性,并刻出了1-......
随着MEMS及纳米科技的进步,悬臂梁探针在扫描探针显微镜、隧道传感器、微纳米加工、高密度数据存储中的应用越来越多,微纳米针尖的......
对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对......
背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺.晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高.严重的翘曲......
太阳能电池是一种新型能源,困扰着光伏行业发展的因素有很多,其中转化效率是最主要的因素,因此提高转化效率成为了光伏行业的重中......
MEMS器件的制作离不开湿法腐蚀技术,湿法腐蚀技术制作成本低廉且工艺简单。本文对硅的氧化、光刻和湿法腐蚀都做了相关的研究,尤其......
与CMOS工艺兼容的CMOS-MEMS技术将MEMS结构部分和CMOS电路做在同一块衬底上，可以实现高信噪比、制备大阵列的敏感单元，成本低，适合大......
基于微机电系统(Micro-electro-Mechanical Systems:MEMS)技术的微加热器在气体传感器、红外发射器、气体流量计、微热量计、红外......
具有一定表面织构的前电极材料在薄膜太阳电池中有着重要的作用,通过有效的界面散射提高入射光在薄膜电池吸收层中的光程,实现......
阳极氧化法制备的多孔硅层分别经 1% HF、 1% NH3 / H2 O2 和 0 .0 5 % Na OH三种溶液在室温下进行湿法腐蚀 ,并用傅里叶变换红外......
对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH......
良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辩率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键.本文......
报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的“Λ”型负阻......
随着红外探测技术的不断进步,第三代红外探测器的发展需求日渐明晰.由于带间跃迁工作原理、暗电流抑制效应以及成熟的材料制备技术......
为了克服石英玻璃和Pyrex 7740玻璃制作微流管道价格昂贵、工艺流程复杂等缺点,利用普通钠钙玻璃为基质、正光刻胶AZ4620为掩膜牺......
本文对半导体行业常用的湿法化学腐蚀工艺进行了概述.并探讨了湿法化学腐蚀工艺的两大类型:酸性化学腐蚀工艺和碱性化学腐蚀工艺,......
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀......
通过对腐蚀溶液的优化,获得了一种刻蚀效果良好的锆钛酸铅(PZT)薄膜的腐蚀溶液配方。文中所采用的PZT薄膜是通过溶胶!凝胶(sol-gel......
针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法.分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同......
提出了一种研究湿法腐蚀进程的新方法———红外热像法。在湿法腐蚀中,金属或半导体基片浸泡在化学试剂中,由于化学能的作用,会在......
本文对计算全息图元件的设计和制作成算法和软件,研究了采用高速电子束直写系统制作大面积、非周期性复杂光刻图形技术,在此工作的......
介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法，实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌，结果给出不同参数下的光强和光辐射......
提出了半导体湿法腐蚀中溶液热分布及其变化特性的红外热像分析方法。该方法的实质是湿法腐蚀中伴随着热量的生成与腐蚀液的热对流......
在对InSb光导探测器量子效率理论分析的基础上，提出两种可有效提高量子效率的方法及其实现方法，并给出相关的应用结果。......
该文对石英半球型微谐振器进行了模态仿真,分析了前十阶振型及适合陀螺工作的模态,讨论了谐振器壁厚变化对四波腹模态谐振频率的影......
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术(ATR-FTIR),研究了Si(111)在不同比例的NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态.通过分析表面......
