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异质结构效应晶体管相关论文
(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性
利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/Al GaAs p沟道HFET结构材料。通过控制V/Ⅲ束流和其他生长参数,优化了材料的生......
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分子束外延
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异质结构效应晶体管
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