硅掺杂相关论文
针对红外探测器制作特性的要求，改善制作材料的物理性能，为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜（由MOCVD生长）在12~300 K温度范......
近年来,许多便携式、可穿戴、可植入式的电子设备已经融入到我们的日常生活中。构成这些设备的关键部件有能量收集器、能量存储元......
二氧化钛在空气净化、水的杀菌消毒和含有机污染物的废水光催化降解中有重大的应用,且无二次污染,成为目前引起科学家关注的绿色环......
二氧化钛因其良好的化学和物理性能被广泛用于各个领域中,但二氧化钛有三种晶型:锐钛型、金红石型、板钛型。应用最多的是锐钛型和......
金刚石具有宽禁带、高热导率、高载流子迁移率、高击穿电压等优点,被认为是终极半导体。对于半导体器件来说,经常采用先辐照后退火......
研究碱性条件下Si掺杂单层MoS 2表面的氧还原反应(ORR)机理,为设计高效的双电解液锂空气电池催化剂提供理论指导。通过第一性原理......
目的 通过分析辐照后硅掺杂羟基磷灰石(Si?HAP)的顺磁性变化,研究Si?HAP材料的剂量学特性,为新型电离辐射剂量测量材料研究提供参......
近年来,随着光纤通信技术的不断发展,铒(Er)掺杂的半导体材料引起了研究者的极大兴趣。这是因为,Er离子在1540nm处有很好的的荧光......
将铁电薄膜材料与硅基半导体集成工艺相结合而发展起来的铁电存储器具有非易失性、读写速度快、低功耗以及抗辐射等其它类型的存储......
目前，Ti02光催化材料固化技术解决了Ti02颗粒难于回收的问题，但其光催化活性仍然偏低，不能满足水污染治理领域对光催化材料的需求。为......
在光催化领域,TiO_2纳纳米材料是光催化活性高,研究最广泛的一种半导体。而Si掺杂的TiO_2纳米体系不仅具有很高的光催化活性,而且......
硅作为最重要的半导体材料,其表面结构及其外延生长一直是人们关注的研究课题。由于Au/Si界面在电子器件和表面催化方面的广泛应用......
碳量子点(CQDs)是一种新型的荧光碳纳米材料,因其所具有的独特的光学和电化学性能、低毒性、良好的生物相容性、抗光漂白性,稳定的......
目前，一维半导体纳米材料因其独特的光电特性而被广泛关注。其中，ZnO由于其具有宽禁带（3.37 eV）和高激子束缚能（60 meV），在室温或更高温度......
微波-ECR等离子体增强化学气相沉积和等离子体增强非平衡磁控溅射两种工艺同步进行,可制备半导体、合金材料,而且能制备性能优异的......
AlN体系由于在储氢材料、特殊光电材料方面的潜在应用被人们广泛关注。Al、N配对的Al12N12笼是AlN类富勒烯体系中较稳定的最小结构......
ZnO是宽禁带Ⅱ-Ⅶ族半导体材料,带隙宽度约为3.37 eV,具有纤锌矿结构,属六方晶系,化学稳定性较好、材料来源丰富、价格低廉。ZnO的......
染料敏化太阳能电池(DSSC)是一种把太阳能转化为电能的一项技术，因为它的制作成本低廉，转换效率较高，在新能源利用方面具有很大的发展......
本文使用原子力显微镜考察了硅掺杂类金刚石薄膜的表面形貌及粗糙度,同时分析了薄膜表面的粘附力和微观摩擦力学性能。实验表明,随......
采用溶胶-凝胶法合成了硅掺杂的介孔TiO2材料,用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、和N2吸附脱附等分析手段对产物结构和光学......
采用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱2种方法测量了不同硅碳比的CVD掺硅金刚石薄膜的残余应力.采用偏压增强热丝化学气相沉积装置在硬质......
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥......
在不使用模板剂的条件下,以工业硫酸氧钛溶液为原料合成介孔偏钛酸前驱体,再经正硅酸乙酯浸渍焙烧制备了具有良好热稳定性的Si掺杂......
以Ti粉、Al粉、活性炭和Si粉为原料，采用放电等离子工艺分别以摩尔比为2．0Ti/1.1Al／1．0C、2．OTi/l．0Al／0．1Si/1.0C、2．0Til1.0Al／0．2Si／1．0C、2．0......
基于Ⅲ-V族半导体的产品已经广泛应用于移动设备、无线网络、卫星通信和光电子技术领域,其中,新型的Ⅲ-V族半导体铟铝氮(In_(x)Al_......
以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进......
共沉淀法合成了镁铝水滑石和硅掺杂的镁铝水滑石，并将其以浆内添加的方式应用于纸张阻燃中，分析讨论了其结构、性质以及对纸张性能的......
以TEOS（正硅酸乙酯）为硅源,采用微波均相沉淀与喷雾干燥相结合的方法,在1370℃合成了荧光强度明显提高的硅掺杂的YAG∶Ce3＋荧光粉。研......
以工业硫酸钛液水解得到的介孔偏钦酸为载休，正硅酸乙酯（TEOS）为浸渍剂，采用表面接枝法制备了Si掺杂的介孔SO4^2-／TiO2。通过X射线衍射（X......
研究硅掺杂对CVD金刚石薄膜形貌、结构特性和成分的影响。通过向丙酮中加入正硅酸乙酯作为反应气体，在硅基底上沉积硅掺杂CVD金刚石......
结合VB-GaAs晶体生长工艺，对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨，提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料，通过工艺控制可提......
在含有Ca2＋,PO43-以及SiO32-的电解液中,通过电化学恒电位方法,在工作电压为3 V温度为85℃的条件下沉积1 h,于钛表面上制得含硅羟基......
以葡萄糖、氟钛酸铵和氟硅酸铵为原料,采用一锅水热合成法在葡萄糖聚合形成的胶体碳球表面原位生成了含有Ti/Si物种的前驱物实心微......
尖晶石锰酸锂（LiMn2O4）具有理论比容量高、热稳定性高、价格低廉、循环性能良好等特点,深受研究者的亲睐,目前已有固相法、燃烧合成......
研究硅掺杂对CVD金刚石薄膜形貌、结构特性和成分的影响。通过向丙酮中加入正硅酸乙酯作为反应气体,在硅基底上沉积硅掺杂CVD金刚......
用高温固相法合成了硅掺杂的尖晶石型LiMn2-xSixO4（x=0,0.005,0.010,0.020）。通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）对样品进行表征,并对合......
针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温......
从2001年intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文到2005年samsung在VLSI发表256M的PCRAM的实验数据，相变存储器的发展迅猛。Intel甚......
通过电化学沉积，在阳极氧化法制备的高度有序TiO2纳米管阵列表面均匀地沉积Si元素。扫描电子显微照片显示Si掺杂的TiO2纳米管垂直于......
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂〈511〉取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中......
近年来,氧化物薄膜晶体管(TFT)在以有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)为代表的平板显示(FPD)产业中具有巨......
回流老化由ZrOCl2 水解得到的ZrO(OH) 2 水凝胶 ,然后经焙烧制备了高比表面积的ZrO2 .采用氮吸附、X射线衍射和FT Raman光谱等技术......
通过考察回流老化所用的碱液 (NH4OH ,NaOH和KOH)介质和容器材质 (玻璃和Teflon)对ZrO(OH) 2 凝胶及其焙烧产物ZrO2 的织构 /结构......
采用Tersoff势对硅掺杂石墨烯薄膜的拉伸过程进行了分子动力学模拟,研究了不同硅掺杂比对扶手椅型和锯齿型石墨烯薄膜拉伸力学性能......
