弛豫铁电陶瓷相关论文
第六届全国材料科学中的电于显微学会议和第八届全国化学化工纺织中的电子显微学会议于1９９５年９西省南宁市召开，出席会议的代表共７６人．会前......
简要综述了提高弛豫铁电陶瓷电致应变温度稳定性方法的研究现状和存在的问题，并对进一步深入研究提出了看法。
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在比较铁电体材料与弛豫铁电体材料的异同之处的基础上，采用一般陶瓷工艺制备的U型电阻-温度特性热敏电阻电阻材料钛酸钡锶和钛酸铅......
随着“中国智造2025”战略的推进和人工智能的快速发展,微电子工程、纳米技术等领域对于超精密进给及定位技术的需求日渐凸显。弛......
该文研究了La、Bi、Nb及Sr掺杂的PBZT系和Nb及Ba掺杂的PLZT系弛豫铁电陶瓷的介温特性(K-T)、横向场诱应变特性(X-E)、介电滞后特性......
弛豫铁电陶瓷（1-x）Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3（（1-x）PMN-xPT，PMN-PT）具有优良的电学性能和电-光性能，在多层陶瓷电容器、压电器件和光学装置......
钛酸钡系列的弛豫铁电陶瓷由于其极高的介电常数、较低的烧结温度和相变温度、弛豫化的相变行为等优良特性,成为多层陶瓷电容器必......
钛酸钡（BaTiO3）陶瓷具有典型的钙钛矿型（ABO3）结构,其具有较高的介电常数、优良的铁电、压电、耐电压和绝缘性能,是制备高介电陶瓷电容......
钙钛矿结构铌镁酸铅(PMN)弛豫铁电体具有很高的介电常数和大的电致伸缩系数,自五十年代以来被广泛应用于电容器和执行器等领域中.......
采用半化学法或水热前驱体法制备了纯钙钛矿结构的PMW-PT、PNW-PT和PMW-PNN-PT基弛豫铁电陶瓷粉体,探讨了钙钛矿相陶瓷粉体的形成......
研究了2.45 GHz多模腔微波烧结系统对组成为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPb(Zn1/3Nb2/3)O3-zPbTiO3的弛豫铁电陶瓷快速均匀烧结过程. 与常......
测量了３ｍｏｌ％Ｂａ掺杂的ＰＬＺＴ１０／６５／３５弛豫铁电陶瓷的电滞回线、横向场诱应变、偏压下的介电常数和压电常数，并根据电滞回线和场诱应变曲线的斜率计算了动态......
以普通氧化物烧结方法(一步法)和先驱体法(两步法),在1200℃～1350℃的温度下,制备了(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-xPb(Zr0.52Ti0.48)O3(以......
采用氧化物混合烧结法,在烧结温度为1250℃的条件下,制备了(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-xPbTi O3弛豫铁电陶瓷,并对其压电性能和介电性......
采用半化学法制备了(1-x)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3((1-x)PNN-xPT,x为PT的摩尔分数,分别为0,0.15,0.25,0.36,0.45)陶瓷. 以硝酸镍......
采用二次合成法制备了0．85Pb(Zn1／3Nb2／3)O3—0．10BaTiO3—0．05PbTiO3弛豫铁电陶瓷，探讨了烧结温度对陶瓷相结构和晶粒的影响，优化了烧结......
采用固相法制备（1-x）BaTiO3-xBi（Ni2／3 Nb1/3）O3（x=3，5，7，10，15，20mol％）（简称BTBNN）弛豫铁电陶瓷，研究了BTBNN陶瓷的结构、介电性能和铁电性能．研究......
本工作用高分辨电子显微学方法研究了弛豫铁电陶瓷Ｐｂ（Ｓｃ０．５Ｔａ０．５）Ｏ３（ＰＳＴ）中的有序－无序结构，直接观察到有序－无序结构畴界及反相畴界（ＡＰＢｓ），对反相畴界的结构进行了......
研究了锆钛酸铅钡铁电陶瓷的横向场诱就变ｘ２偏压下的介电常数ε３３、弹性柔顺系数Ｓ＾Ｅ１１和磁面机电耦合系数ｋｐ，并计算了等效压电常数ｄ３１、ＰＢＺＴ陶瓷的ｋｐ和ｄ３１值......
简要介绍了弛豫铁电陶瓷的有序－无离结构及其对材料相组成和介电性能的影响。...
本文采用半化学法,即硝酸铁代替传统氧化物混合法中的三氧化二铁与PbO和WO3浆料混合,经850℃,2h预烧,一步合成了钙钛矿单相的Pb(Fe......
采用传统固相烧结法,在铌酸钾钠陶瓷基体中掺入Sr、Ba、Bi和Ti元素,制备了（1-x） （K0.5Na0.5）-NbO3-x（Sr0.4Ba0.6）0.7Bi0.2TiO3（（1-x） KNN-xB......
对ＰＭＮ－ＰＺＮ－ＰＴ系弛豫铁电陶瓷的直流偏压特性进行了研究，直流偏压使介电常数的最大值εｍａｘ下降，介电常数最大值对应的温度Ｔｍａｘ升高，频率色散受到压抑。同......
用传统氧化物合成法于950℃低温烧结制备出掺杂二价离子的PNN基弛豫铁电陶瓷,研究了二价离子(Mg 2+、Ca 2+、Sr 2+和Ba2+)掺杂对PN......
研究了镧和铋掺杂的锆钛酸铅钡锶弛豫铁电陶瓷在不同直流偏压及温度下的介电常数ε３３，平面机电耦合系数ｋｐ和等效横向压电常数ｄ３１。实验表明......
本文研究了铌掺杂的ＰＬＺＴ驰豫铁电陶瓷在不同直流偏压及温度下的介电常数ε３３，平面机电耦合系数ｋ和等效横向压电常数ｄ３１。实验表明，铌掺杂的ＰＬＺＴ驰豫......
以PZN-BT(低温相)、PMN-PT(高温相)为起始组元,采用混合烧结法制备了具有X7R介电特性电子瓷料,其介电温谱在-55~+125℃范围内相当......
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本文研究了La、Bi、Nb及Sr掺杂的PBZT系和Nb及Ba掺杂的PLZT系弛豫铁电陶瓷的介温特性(K33-T)、横向场诱应变特性（x2-E）、介电滞后特......
随着微电子技术和信息技术的飞速发展,功能材料成为新材料研究的热点,尤其是功能陶瓷材料得到了快速的发展。它已成为高技术发展的......
研究了制备纯钙钛矿相0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3(缩写为PMNT)陶瓷的半化学法新工艺.详细讨论了除Nb2O5外,其它反应物以其非......
用静态法对不同制备工艺和不同PZT掺杂量的(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电系数进行了测试,发现随着PZT掺入量的增加逐渐降低PSTZT陶瓷......
