势垒高度相关论文
多重雷击会导致氧化锌避雷器老化速率加快,使用寿命及电气性能降低,甚至直接造成避雷器破裂损坏。为研究遭受多重雷击后氧化锌避雷......
ZnO压敏电阻是避雷器的核心部件，其性能的好坏直接影响着避雷器的电气性能。因此，该文致力于通过B2O3的掺杂以改善直流ZnO压敏电阻的......
二氧化钒（vanadium dioxide,VO2）是关联电子氧化物的典型代表之一,在340K附近发生可逆的金属—绝缘体转变（Metal—insulator transiti......
在一个高速度的火车桥系统上调查风障碍的空气动力学的效果，部分模型测试在一条 closed-circuit-type 风隧道被进行。几个不同案例，......
本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长......
研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,T......
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵......
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。......
以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行表征与结构分析。结果表明......
静电感应晶体管(SIT)是一种具有类真空三极管特性的新型半导体器件,具有功率大、增益高、跨导大和噪声低等优异性能。本文分析了SI......
本文的目的是研究铷原子与蓝宝石表面碰撞的过程,通过克努森流动的方法对单晶蓝宝石表面上铷原子的停留时间和势垒高度进行测量研......
随着对高性能、高精度的电子及光电子器件的需求越来越大,人们已经逐渐开始探究纳米界面和纳米结构材料的特性。纳米金属颗粒、纳......
CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底.为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能,作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnT......
本文从激光冲击处理金属材料产生组织相变的机理出发,开展了激光冲击处理对ZnO压敏陶瓷电性能影响的实验研究,采用了Nd-YAG激光器......
最近关于石墨烯谷相关输运性质的研究越来越受到人们的关注，石墨烯是一个没有能隙的二维单原子层材料，在费米能附近电子能带结构呈现......
富氮高能量化合物是一种新型的高能量密度物质（HEDM）。在近些年来，富氮化合物被大量的文献所报道，在实验合成和理论研究等方面均具有十......
锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率和在通信波段具有更高的吸收系数,并且与成熟的硅微电子工艺相兼容等优点,使硅基锗光电......
学位
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件......
Pt Si肖特基二极管的势垒高度制约 Pt Si红外探测器的截止波长和量子效率 .在 Pt Si/Si界面注入 In+ 、B+ ,采用高浓度、浅层注入......
用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V......
为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒......
研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从20......
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻R......
期刊
给出了一种新型SiC MOSFET--6H-SiC肖特基源漏MOSFET.这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度......
基于高场下电荷的注入过程及激子的解离和复合过程,建立了单层有机发光器件电致发光(EL)效率的理论模型.计算表明:(1)当金属/有机......
文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量......
系统分析了势垒高度测量的两种常用方法(I-T特性方法和C-V特性方法)成立的条件.发现直接采用lnj-1/T曲线的基本I-T特性方法适用于......
以平均键能Em作为参考能级,计算了10种不同半导体的Schottky接触势垒高度,计算值与实验值符合较好.计算值与实验值的符合程度与Ter......
势垒高度Φ和理想因子n是混合肖特基/PIN(MPS)二极管正向输运下的重要参数,而软度因子是MPS反向恢复能力的衡量指标之一。对6H-SiC......
采用传统固相反应法制备了 Ca（1- x）Yx Cu3 Ti4 O12（x =0，0.005，0.010，0.015，0.020，0.030，0.040）陶瓷样品.利用 X 射线衍射仪、扫描电子显微......
用肖特基整流二极管势垒正向特性计算机回归分析法,可得到势垒高度、二极管串联电阻和理想因子等各种信息和有用数据,给肖特基二极......
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管.测量了器件的电流-电压特性,并分析了器件偏离理想情况的原因.......
制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管（x≥0.4）,并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势......
研究了掺杂Ce2O3和Gd2O3对ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷电气性能的影响，发现大尺寸试样的内层电位梯度明显低于表层，即表现出“软心”特征．“......
为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用......
建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型,用以描述高场下载流子输运与复合发光的机理,并详细讨论了输运层势垒及外......
基于典型的陶瓷工艺制备试样。压敏陶瓷可视为双向导通的二极管，将适用于齐纳二极管的半导体理论应用于TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O......
采用金属离子注入法形式CoSi2/Si肖特基结并分析电学特性.分别测量不同退火条件下样品的I-V、C-V特性,得出了各样品的势垒高度、串......
研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方......
本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备......
采用磁控溅射方法在Nb0.7％-SrTiO3基片上制作Au薄膜接触，并在氧气气氛下750℃退火30min，在室温环境下测量电流-电压和电容-电压等特性......
本文详细讨论了GaAs表面S钝化技术的发展过程,总结了近年来人们对S钝化技术的研究成果,并针对该技术在金属/GaAs异质结构领域的广......
采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12（Cu-CCTO）陶瓷。采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征。研究了保温时间对......
目前，硅材料的肖特基势垒二极管（schottky Barrier Diode SBD）的击穿电压普遍很低，严重影响其实际应用。为了解决这个关键性的问题．本文......
期刊
通过测量1．55Mm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系，以及模拟能带结构、电场分布等特性，研究了量子......
通过对p型CdZnTe（111）面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体（111）面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察......
