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微区应力测量相关论文
基于深槽调制CESL应变的MOS器件设计
应变硅技术是提升亚微米器件性能与增加集成密度最有潜力的方法,它能够有效抑制器件短沟道效应,提升器件开关速度和驱动能力。应变......
学位
应变硅技术
接触刻蚀阻挡层
深槽结构
微区应力测量
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