应变硅技术相关论文
为了获得可靠的、高性能的器件,传统晶体管的特征尺寸在不断缩小.然而在器件小型化进程中受到物理学、热电学等理论的挑战,已趋于......
作为射频领域的研究热点,功率器件LDMOS具有高耐压、好的热稳性、以及便于和普通MOS工艺集成等方面的优点。在器件小型化趋势下,LD......
针对局部产生应力的应变硅技术，本文采用高频PECVD方法，在硅基片上分别淀积不同厚度的氮化硅膜，通过商分辨XRD对以上样品进行摇摆率测......
随着集成电路产业的发展,采用传统的缩小晶体管尺寸的方法来提高晶体管性能越来越受到成本和技术的限制。寻找新材料,新衬底,新器......
Athlon64 X2处理产品采用了90nm工艺制造,并附以先进的Dual Stress Liner应变硅技术与SOI技术配合使用,支持SSE 3指令集,电压为1.3......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
2003年9月18日，AMD在东京召开的“2003 International Conference on Solid State Devices and Mate—rials(SSDM，2003年固态器件及......
近来业界纷纷讨论IBM和AMD联合推出的双应力应变硅技术，并应用于新推出的微处理器，本文就应变硅技术提出的背景、应变硅技术的基本原......
300 mm晶圆生产线必须采用新标准、新技术、新流程、新设备、新布局、新厂房和新设施等.因此,300mm晶圆向半导体设备提出了挑战.......
SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改......
Athlon64 X2处理产品采用了90nm工艺制造,并附以先进的Dual Stress Liner应变硅技术与SOI技术配合使用,支持SSE 3指令集,电压为1.3......
SiGe技术和SOI技术将是21世纪硅集成的重要技术,它们相互补充,改善晶体管的速度和性能.本文介绍了SiGe技术、器件和应用.......
在高级CMOS器件中，高应力氮化硅（SiN）薄膜是增强应变的主要方法，如果要改善PMOS或NMOS器件性能，则分别需要采用具有压应力和张应力的氮......
Robert J．Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器（EDFA）的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时．发现了一个有趣的结......
介绍了45nm芯片、工艺和设备的最新动态。英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45nm功能芯片。45nm主要工艺包括光刻、应......
应变硅技术来源于能带工程,通过在器件中引入应力或应变来改变硅的能带结构,从而使得载流子迁移率提高和器件驱动电流增加。应变硅......
<正> 近日,八亿时空携手 Intel 公司再次重拳出击市场,全球同步推出最新一代核心技术的电脑产品,八亿时空正式向市场推出采用 Inte......
在高级CMOS器件中,高应力氮化硅(SiN)薄膜是增强应变的主要方法。如果要改善PMOS或NMOS器件性能,则分别需要采用具有压应力和张应......
介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 ......
SOI(silicon On Insulator,绝缘体上硅)技术从20世纪60年代开始受到关注,80年代以后又有了较大的发展,90年代后期进入部分商用领域......
从９０纳米到６５纳米的演进中，作为半导体制造技术的先行者，英特尔在６５纳米大潮中再次遥遥领先。......
在小尺寸器件中被广泛研究和采用的应变硅技术,通过对硅的能带结构进行裁剪,有效减小载流子的有效质量和散射率,提升载流子的迁移......
应变硅技术是提升亚微米器件性能与增加集成密度最有潜力的方法,它能够有效抑制器件短沟道效应,提升器件开关速度和驱动能力。应变......
随着MOS晶体管和MOS集成电路的出现，微电子产业开始迅速发展。1965年，G.Moore总结了MOS集成电路的发展规律：集成电路的集成度每十八个......
