压阻系数相关论文
为了解决分立式器件传感器传感部位距离工件的实际工作部位较远,无法及时、精准测量工件和机械零部件（如刀具、模具和轴承等）工作时......
航空航天领域中对于压力的测量是比较广泛的,例如,用于测量航天器升空过程中整流罩所受压力,发动机叶栅的脉动压力,直升飞机机翼的......
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经过多年来的研究表明，尽管锰铜合金的压阻系数不是很高，但由于它具有灵敏度高、响应快、线性较好、电阻温度系数小等特点，非常适合于......
本课题来源于中央高校基本科研业务费专项资金项目“具有动态传感功能的碳纤维智能层的界面与本构理论研究”,对树脂基连续碳纤维......
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提出了基于Matlab软件得到压力值解析表达式中各多项式的系数,十分简便,可用于压力传感器的智能化.利用热零点漂移的非抛物线实验......
采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器，在小于1GPa压力范围内对未经任何处理和300℃真空热处理1h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定，......
用磁控溅射低温沉积镀膜技术制做锰铜薄膜,能够保持薄膜中锰、铜、镍成份的相对稳定和锰铜合金正六面三元固溶体金相结构的特性.但......
GaAs HEMT（高电子迁移率晶体管）位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs ......
为了实现恶劣环境下的精密仪器和精确测量,适应于恶劣环境下的压力传感器的需求大大增加。首次报道单根氮化硅纳米线的横向压电效......
为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形......
采用磁控溅射法制备锰铜薄膜，溅射和真空蒸发法制备镱薄膜。对热处理前后薄膜的电学性能、微观形貌和结构进行了表征，并采用轻气炮和......
采用薄膜工艺制备适合高压力测量的阵列式传感器,文中介绍了该传感器的制造工艺、工作原理。动态加载实验表明,传感器阵列的压阻一......
以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同。由于高灵敏度是依......
设计了低压锰铜压阻传感器 ,并通过平板撞击实验标定了该传感器在 0 .3～ 9.4GPa范围内的压阻关系。标定曲线在 0 .3～ 1.5GPa范围内是......
硅基压阻式压力传感器应用广泛,在传感器中具有十分重要的地位。该传感器的发展方向是小型化、高灵敏度、良好温度特性和集成化,为......
一、概述在生物医学工程研究以及病理诊断和病床监护中,生物体各部位压力测量是病理分析和研究的重要手段。但由于在生物体上测压......
本文分析了压阻式扩散硅压力传感器的设计原理:对微压传感器的关键问题提出了各向异性腐蚀,掺高浓度硼停止腐蚀;用E型杯代替C型杯......
镱是一种特种压阻材料,用其制作的薄膜传感器灵敏度高,响应速度快,可用于测量3GPa以下的冲击波压力在岩石、土壤及液体介质中的传......
本文是在ＣＧＪＹ－７７０２型低差压硅集成压力传感器研制的基础上，结合我国的设备条件和工艺特点提出设计方案，对高稳定低差压传感器的实现，在主要工艺......
随着半导体微电子学的发展和计算机的广泛应用,传感器也向着半导体化的方向发展.硅压阻式压力传感器是半导体传感器中历史较久的......
应变硅技术是提升亚微米器件性能与增加集成密度最有潜力的方法,它能够有效抑制器件短沟道效应,提升器件开关速度和驱动能力。应变......
目前Si材料中已经开始广泛应用结合场效应晶体管与悬臂梁结构的工艺以实现力电信号的转换。而高电子迁移率晶体管（High Electron Mo......
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多晶硅薄膜具有良好的压阻特性,晶粒结构和掺杂浓度决定其压阻特性.一般通过调节掺杂浓度改变压阻参数,但现有的多晶硅薄膜压阻系......
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力......
利用应力退耦模型，分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析，并推导出多晶硅压阻系数的表达式．实验结果表明......
本文介绍了固态压阻压力传感器的敏感芯片、工艺制作、装配结构设计思想和主要技术性能,并对这类压力传感器的应用作了简要说明。
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一、引言 目前国内半导体压阻式的微量程压力传感器生产尚未成型,处于研制阶段,主要存在下列问题:1.机械加工不能制造出膜片极薄......
