本文提出一种基于雪崩晶体管和级联阶跃恢复二极管的快脉冲产生电路,对快脉冲产生机理进行了分析,给出具体电路设计,并对其进行测......

本文使用快脉冲闪络试验系统,基于指形电极结构,研究了不同填料/配比的多种环氧复合材料闪络前后表面电位分布特性.采用表面电位计......

本发明将二极管设计成活动的结构,由固定支撑筒和滑动支撑简部分套接构成,其间用波纹管密封连接,并在套接部位轴向设有槽轨,外部再......

氧化铝掺杂环氧树脂复合材料在电力绝缘设备中应用广泛,然而人们对其在纳秒脉冲下的绝缘性能研究较少,这限制了它在指导脉冲功率装......

高功率快脉冲技术在核物理技术、电子束、加速器、激光、HPM现代科学技术领域都有广泛的应用。高功率超宽带脉冲的产生、变换及传......

快脉冲下液体绝缘介质击穿特性是脉冲功率技术应用的基础。通过文献调研，本文阐述了快脉冲下液体介质击穿特性影响因素及液体击穿特......

高速、大功率LED（≥3W）光源驱动电路是中子墙探测器光刻度系统的重要组成部分。本文简要介绍高速、大功率LED光源驱动电路的设计。该......

一、e-mark认证介绍e-mark认证是根据欧盟指令实施的一种对汽车产品的批准制度。车载电子产品进入欧盟需获得E/e-mark认证。随着汽......

短脉冲直线型脉冲变压器（LTD）是近年发展的一种新型脉冲功率驱动源新技术,LTD模块化后可方便地串、并联使用.为了紧跟国际上短脉冲LT......

提出了用研制的可重复频率快脉冲硬X射线源建立标准场的设想。对该辐射源的结构、特性以及现已取得的实验参数进行了描述,阐述了目......

通过硅雪崩整形器件（SAS）的过压雪崩击穿效应对纳秒级脉冲前沿进行快速切割产生亚纳秒级脉冲前沿,是高重频快前沿DSRD脉冲源的关键技......

在建的西安质子应用装置是一种用于空间质子辐照效应研究的装置,注入凸轨电源是其同步加速器注入系统的关键组件.该电源属于快脉冲......

通过对带绕非晶态软磁合金磁芯片间绝缘技术的几种方法、磁场热处理技术以及绝缘封装技术的研究,实现了非晶态磁芯片间0.6-1.0μm......

针对一种基于超宽带的MIR移动目标探测宽带天线以及超宽带的"相关检测"电路的实现进行了较为详细的论述;应用该技术对不同材质移动......

研制了真空二极管电流电压参数监测用的电容分压器、微分环以及标定实验平台，对其工作原理及结构进行了描述，完成了探测器灵敏度实验......

围绕一台具有200kV最大峰值输出电压，上升沿40ns，半高宽300ns，真空度5×10^-3Pa快脉冲真空闪络试验装置，采用不锈钢指形电极系统，研......

通过比较测量磁化特性的几种方法，采用脉冲电容器快速放电方法，获取了ns级上升前沿的快脉冲，对高频响应比较好、适合于直线型脉冲变压......

设计了液体介质快脉冲击穿试验装置和电压电流测量系统，研究了重复频率、电极形状及电极间距与介质击穿场强、击穿电压和击穿时延等......

针对25μm 2605TCA非晶涂层、25μm 2605SA1非晶夹膜和50μm DG6硅钢夹膜三种材料和工艺磁芯,对比研究了不同激磁条件下的磁化特性......

按 Marx原理研制的快脉冲发生器结构元件采用低抖动场畸变开关和固体无感电阻 ,输出脉冲前沿陡度可达15 k V/ns、幅值 2 0 0 k V、......

在高功率脉冲技术领域,由于固体绝缘材料的沿面闪络电压远远低于同等绝缘距离的体击穿电压,脉冲功率装置的真空绝缘支撑部件由于沿......

目前等离子体显示平板（PDP）主要问题是光效不高。基于快脉冲驱动能显著提高介质阻挡放电光效的理论基础，提出了快脉冲驱动提高PDP光效......

提出在典型一阶磁脉冲压缩电路的基础上,测取磁芯在实际工作条件下的动态磁滞回线和饱和磁导率等磁参数,再根据所获得的动态参数指......

通过气体放电产生更高浓度的低温等离子体要求具有纳秒上升沿和纳秒脉宽的高重频快脉冲,而目前被广泛使用的MOSFET和IGBT都无法满......

集成门极换流晶闸管(IGCT)开关具有耐压高、通流能力强、工作重频高的特点,然而在纳秒级脉冲功率系统中应用较少。本文以株洲南车......