雪崩击穿相关论文
横向双扩散金属氧化物半导体（Lateral Double-Diffusion Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）因其高耐压,低导通电阻,功耗低以及高集成......
针式打印机是一种不同于激光、喷墨和热敏打印机的产品。它是靠机械作用力撞击色带,进而把色带上的油墨压印到纸上来显示信息。这......
对（HgCd）Te探测器峰值响应波长的Franz－Keldysh偏移进行了实验研究。实验结果表明，在强电场中，（HyCd）Te具有很强的Franz－Keldysh效应，因而可......
利用ＹＡＧ脉冲激光在二种脉宽下（１０ｎｓ、２５０μｓ），对Ｓｉ、Ｇｅ片进行了损伤研究，分别给出了表面损伤机制，并利用镀金钢石膜、介质膜和激光预辐照进行加固，讨论了......
功率SiC MOSFET具有更低的导通电阻,更快的开关速度和更强的耐高温能力。由于其芯片面积较小、栅极氧化层厚度更薄,SiC MOSFET在短......
光电导开关（Photoconductive Semi-conductor Switches，简称PCSS）是利用光电半导体材料与超快脉冲激光器相结合形成的一类新型半导体......
利用射频磁控溅射方法 ,在n+ Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n......
随着大功率场效应晶体管(Power MOSFET)的应用越来越广泛,由于场效应管失效引起的整机失效的比例也在逐渐上升.这这些失效中,很大......
超宽带UWB是一种无线接入技术,拥有超宽带、极低功率谱密度两大特点,脉冲信号的产生,信号的调制以及信号的快速捕获、同步与检测是......
分析了不同晶面上温度对6H-SiC MOSFET击穿特性的影响.以Si面为例,分析了温度对器件的击穿电压、临界电场、比导通电阻等物理量的......
提出了一种具有深阱结构的RFLDMOS，该结构改善了表面电场分布．从而提高了器件的击穿电压．通过sil—vaco器件模拟软件对该结构进行验证......
双极结型晶体管 （BJT） 的集电极与发射极之间的雪崩击穿具有快导通、 快恢复、 高稳定性等优点,适合作为小型 Marx 脉冲功率发生系统......
分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿......
基于电磁场、半导体物理及热力学方程的半导体器件多物理场模型方程组共同描述了器件内部的电热特性.而半导体器件在反向电压作用......
文章介绍了组成ESD保护电路的组成元件,简单说明了它们在电路中的作用,并举例列出了一个具有两级电路组成的ESD保护电路.后面对其......
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种利用MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)驱动BJT(Bipola......
给出一种新的RF功率器件结构－梳状基区结构，在不增加本征集电路面积的情况下，该结构能显著改善RF功率晶体管散热特性，增大器件的耗散功......
应用于电力电子领域的高压二极管一般设计成p+n-n+结构。当器件处于正向偏置状态时,p+n-n+二极管的低中间掺杂区域通常要被驱动到......
本文从内部寄生效应分析了VDMOSFET雪崩击穿的机理，寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击......
二极管P-N结的击穿电压特性不仅是二极管本事的重要参数，也是设计半导体器件设计的基础。而半导体P-N结击穿主要以齐纳击穿和雪崩击......
本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测......
本文分析了结型半导体桥的起爆规律及作用机理,讨论了结型半导体桥电爆性能的影响因素,根据结型半导体桥的结构特点,设计了一种封......
为提高硅芯片的信号传输速度,解决传输延时、信号串扰等问题,当前研究的热点之一在于实现芯片内信号的光传输。要实现光信号在芯片......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
<正> 引言 众所周知,杂质缺陷对半导体器件性能有很大的影响,所以引起人们极大的兴趣。所谓深能级,一般是指不易离化、电离能超过......
<正>一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压VB与击穿噪声密度Vi关系曲线.从图1可以看到,当VB<3V时......
本文对晶体管基区穿通问题进行了理论分析,得到了任意杂质分布时穿通电压的普遍表达式。并得到了一个保证集电结发生雪崩击穿之前......
本文研究了对硅功率器件合格率和可靠性影响最严重的微等离子击穿现象。利用电学测试,化学腐蚀、扫描电镜和离子微探针等方法分析......
<正> 本文介绍我厂研制的高压中功率npn平面型晶体管设计考虑,该产品用于雷达亮度显示器、电源设备、静电打印设备及某些开关电路......
本文据根行扫描电路的原理,分析具备良好可靠性的行扫描晶体管所必需的条件,着重针对偏转电路特有的过渡特性和异常情况,指出行扫......
柔性直流输电以其高度可控、灵活高效的特点,成为解决风电等可再生能源并网问题的有效技术手段。未来的直流输电网络,不仅可以解决......
ＴｈｅＣｏｎｔｒｏｌＳｔｒａｔｅｇｙｏｆＦｕｌｂｒｉｄｇｅＣｏｎｖｅｒｔｅｒ１前言随着计算机的普及和航空航天技术、数据交换系统和邮电交通等事业的迅猛发展，电源装置的需求量日益增长，而且对其性能、重量、......
针对商用高电压大功率多芯片P-i-N二极管在钳位型电感负载电路中,在额定电气参数下发生的瞬态失效现象,分别从电路布局和器件机理......
采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs......
随着汽车行业的迅猛发展,并联在供电线路上的许多电子控制器和设备与过去大不相同,汽车在运行中常有各种电子干扰产生,抛负载会产......
绝缘栅型双极晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)器件因其具备良好的开关速度、较低的功耗和易于控制和驱动的特性而......
随着电子元器件技术的发展,静电对元器件应用造成的危害越来越明显。一方面,电子元器件不断向轻、薄、短、小、高密度、多功能等方......
半导体过压保护器件是一种新型的电压抑制器。由于其响应速度快、体积小、性能稳定、短路保护及单位面积吸收浪涌能力强而广泛地应......
随着通信技术的飞速发展,信息传输速度的加快,对通信系统的稳定性要求越来越高。经常出现的意外电压瞬变和浪涌电流使整机系统的性......
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单光子探测技术在国防建设、工业和民用生活领域具有广泛的应用前景，比如：生物学上的DNA排序和荧光寿命成像、军事上的雷达测距和深......
功率集成电路将低压控制电路、保护电路和高压功率MOS器件集成在一起,显著提高了整机的集成度和稳定性,降低了成本。功率MOS器件是......
为保证雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,人们研究了多种偏压控制方案。针对传统的偏压控制存在的缺陷......
