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采用冷压-烧结粉末冶金技术制备了NiFe2O4陶瓷,并对其进行SnO2掺杂.对光谱纯石墨和所制备的试样进行的不同温度下电导率测试研究表......
掺杂SnO2稀磁材料优异的物化性能,特别是巨磁矩和高居里温度的出现,使其在稀磁半导体领域展现出极大的应用潜力和理论研究价值。然......
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Sn02是一种重要的宽带隙半导体材料,经掺杂处理后,具有独特的电学和光学性能,从而广泛应用于电极材料、光学器件等众多领域。本文......