压敏电压相关论文
三氧化钨（WO3）是一种重要的功能材料,因具有良好的电致变色、光致变色、电化学性能而得到广泛的研究和应用。近年来,人们又发现了WO3......
ZnO压敏电阻的老化主要由施加电压及温度因素造成,为研究其在工作电压下的热电特性,利用建立的压敏电阻交、直流老化试验平台,开展......
采用溶胶-凝胶法成功制备了梯度掺杂CaCu3Ti4-xZrxO12(x=0、0.05、0.10、0.15、0.20)薄膜.通过X射线衍射及扫描电镜对其相结构及显......
ZnO系压敏陶瓷广泛应用于高压领域的避雷器和低压领域的电路保护中,涵盖了各行各业的电力电子设备。近年来,电子技术迅猛发展,电子......
自从1969年发现ZnO压敏材料以来，人们对其进行了广泛、深入的研究，到八十年代中后期，ZnO压敏材料的开发应用日渐成熟。但由于掺杂量较......
本文测量了在ZnO中加入少量的TiO2或CuO后样品中的电子密度及其电阻率。以此为基础，采用固相反应法分别制备了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-M......
研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂......
研究了 Zn O压敏电阻器的通流量、非线性系数α值及压敏电压与粉料粒径和 Sb2 O3含量的关系。研究结果表明 ,适当添加 Sb2 O3,将粉......
以固相法合成 Sr Ti O3+Nb2 O5 +Mn O2 作为基本系统 ,分别采用草酸盐热分解法制备 Sr Ti O3主晶相及L i2 CO3代替 Mn O2 作受主掺......
研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 ......
研究Ta2O6对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现"U"字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%......
为了研究某电爆管在贮存过程中的性能变化情况,采用加速寿命试验的方法,在温度为71℃和温度为71℃、相对湿度为50%的加速老化试验......
为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响。结果......
以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2％、0.5％、1％(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CATO)陶瓷样品.采用X......
以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,......
分析了ZmO非线性灭磁电阻的特性，在机组特定灭磁电阻配置方式下，仿真计算获得标准规定的空载误强励和定子短路2种严重故障工况时的最......
采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品，并通过XRD和SEM分析，以及Ⅰ-Ⅴ矿曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研......
制作低压ZnO压敏电阻的一般方法是掺入TiO2作为晶粒助长剂. TiO2的加入可降低压敏电压和非线性系数, 增加漏流, 这是由于晶粒发育......
ZnO环形压敏电阻器广泛应用于消除录音机的噪声．理论分析表明，在消除大能量噪声方面，突变型压敏电阻器优于缓变型；在消除小能量噪声时，......
本文详细介绍了近年来国内外关于TiO2压敏陶瓷的研究现状,从烧结方法、烧结制度、掺杂以及表面效应等方面分析了影响TiO2压敏陶瓷......
基于一次烧结工艺，采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同的（Sr，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2陶瓷。通过I-V特性、非线性系数、介电常数的测量，研究......
通过对样品压敏性能和介电性能的测定,研究了CeO2对Nb-TiO2电容-压敏电阻器的影响.研究发现,晶界处硅钛酸铈相的生成使CeO2对Nb-Ti......
主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响.结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1m,......
通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.晶界势垒高度......
针对传统的模拟化压敏电压测试仪系统复杂、通信能力不足以及缺乏扩展性等问题，结合当前广泛应用的嵌入式系统技术和总线技术，基于AR......
摘要：通过实验探究ZnO压敏电阻在不同温度的处理后的性能变化，结果表明，压敏电压Vb、非线性系数α、漏电流IL均受温度影响，本文着重分......
本文研究了在同一烧结温度下，烧结前后的不同热处理方式对氧化锌压敏电阻显微结构和电学性能的影响。实验发现，预烧可以解决烧结时间......
压敏电阻可抑制超导限流器断直流时产生的高压,同时加速直流励磁能量的释放以促使限流器交流侧快速退饱和,进入感性限流状态。为验......
采用传统陶瓷工艺制备了Ni_2O_3掺杂的SnO_2-Zn_2SnO_4复合陶瓷,并测试了样品的压敏性质和介电频谱。压敏性质测试结果表明：随着Ni_......
采用GDARE法在较低温度下，通过一次和多次沉积制备单层及多层ZnO薄膜．AFM和XRD分析表明，薄膜具有以ZnO（002）晶面取向为主的多晶结构，多层......
本文研究了分别掺杂微量Fe2O3杂质对ZnO压敏陶瓷的压敏特性的影响。研究结果表明：随Fe2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的压敏电压V1 mA......
采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）-xZnO（x=0,0.05,0.20,0.60,1.00）陶瓷样品.应用X射线衍射仪及扫描电镜,分别确定了样品......
TiO2压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件,本文研究了Ge掺杂对TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压EB的影......
采用固相反应法,制备了一系列（1-x）CaCu3Ti4O12-xAl2O3（x=0,0.15,0.30,0.40）复相陶瓷.结果表明：Al2O3掺杂使CaCu3Ti4O12基陶瓷在降低低......
基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度( )b的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的......
分别采取四种不同的工艺过程,按照配方TiO2+0.3mol%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075mol%Ta2O5制备四种试样.通过压敏电压、非线性系数、......
TiO2电容-压敏陶瓷非线性伏安特性和介电性能优良，具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了TiO2电容-压敏陶瓷的粉体制备、成型......
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷.通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏......
主要研究了Pr掺杂对Zn—Bi系压敏电阻的性能的影响。当Pr6O11掺杂量为5．49％（质量分数），烧成温度为1150℃时，压敏电压达到400V／mm；当Pr6O11......
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同的(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过I-V特性、非线性系数、介电常数的测......
电涌保护器是防止或减少闪电电涌侵害建筑物内电气系统和电子系统最直接、最有效的器件。建筑物内的系统包括电气系统和电子系统,......
研究了烧结温度对WO3系电容-压敏复合陶瓷显微结构、非线性电学性能及介电性能的影响。随着烧结温度从1050℃到1200℃的升高，WO3陶......
氧化锌压敏电阻作为一种关键的防雷过压保护元件,在电力电子设备中获得广泛的应用,研究生产工艺、掺杂等对氧化锌压敏陶瓷材料的电......
简要介绍了研究ZnO低压压敏电阻的必要性;对比分析了微米粉体、纳米粉体和纳米胶体3种不同形态TiO2添加剂促进ZnO压敏电阻晶粒长大......
研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的......
笔者介绍了SnO2掺杂对SrTiO3环形压敏电阻性能的影响.电性能测试结果表明,掺杂SnO2的摩尔分数X(SnO2)在0.5%～1.0%的范围内,随掺杂Sn......
在对氧化锌压敏电阻的劣化研究中,由于U1mA和Ileakage存在"拐点效应",从而不能够第一时间判断出氧化锌压敏电阻劣化的情况。为此通......
