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本文研究了氮掺杂、磷掺杂、磷掺杂与Si_3N_4复合介质相结合三种不同栅介质工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性测试及经......
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量......
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