晶化硅相关论文
本文对一种晶化硅材料及其TFT器件进行了详细讨论.发现这种硅薄膜材料具有纵向生长的不均匀性.其晶化百分比、晶粒尺寸等性质与膜......
用ＰＥＣＶＤ方法生长不同氧含量的非晶化硅（ＳｉＯ〈，ｘ〉（０＜Ｘ＜２）薄膜，离子注入Ｅｒ〈’３＋〉，退火后在７７Ｋ测量铒在１５４μｍ处的光致发光。７７Ｋ温度下的铒离子的光致发光强度随着非晶......
采用SiCl4/H2 混合气源的等离子体化学气相沉积技术 ,在 30 0℃的玻璃衬底上低温制备出多晶硅薄膜 ,沉积速率大于 3 /s,晶化率达到......
