硅烷浓度相关论文
硅烷浓度是影响等离子体增强化学气相沉积硅薄膜材料特性的一个重要参数.本文通过调节硅烷浓度,得到了系列位于非晶/微晶过渡区内......
本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术,通过改变电极间距同时调整硅烷浓度(SC)的方法沉积了一系列的微晶硅薄膜材料,测试其生长速率......
本文对一种晶化硅材料及其TFT器件进行了详细讨论.发现这种硅薄膜材料具有纵向生长的不均匀性.其晶化百分比、晶粒尺寸等性质与膜......
底栅微晶硅薄膜晶体管的有源层不仅要具有高的晶化率还应该尽量减薄非晶相的起始层.采用降低硅烷浓度的方法简便有效地减薄了起始......
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P 型大 面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓......
以SiH4和H2为反应气源，建立了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜的气相反应模型，模拟了典型的μc-Si：H......
为提高硅薄膜沉积过程中的硅烷利用率，我们利用四极杆质谱对高压高功率法沉积硅薄膜过程中硅烷分压进行了监测。研究了硅烷分解率与......
本文对底栅微晶硅TFT致为关键的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时发现以SiN......
采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响。研究结果表......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了系列本征微晶硅薄膜材料和nip单结微晶硅太阳电池,研究了硅烷浓度、衬底温度和辉光......
对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘......
对微晶硅薄膜晶体管，尤其对底栅型晶体管，在衬底和晶化层间存在一层非晶相起始层，这将严重影响器件性能．文中采用降低硅烷浓度的方法简......
采用甚高频等离子化学增强气相沉积系统（VHF-PECVD）制备器件质量级本征微晶硅薄膜,研究薄膜的光电性质和结晶性质.结果表明：随硅烷浓......
采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜，采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性，较为系统地研究了硅烷浓......
Effect of Silane Treatment on Weight Change and Mechanical Properties of Hydrothermally Aged AI（OH）3
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本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的......
采用甚高频等离子化学气相沉积技术（VHF—PECVD）制备了系列p-i—n型微晶硅太阳电池，研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响......
利用VHF-PECVD分解硅烷和氢气的混合气体来制备本征微晶硅薄膜。运用拉曼散射和X射线衍射研究了不同硅烷浓度对薄膜的影响。随着硅......
硅烷法生产高纯硅和用硅烷沉积硅膜广泛应用于高纯硅生产和器件制造中。本文综述了文献资料对硅烷热分解动力学、汽相沉积硅膜(CVD......
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术（RF-PECVD），在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜，研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明，在......
