随着工艺尺寸的缩减,体Si（硅）材料的缺点逐渐暴露出来,成为制约集成电路性能的主要因素。s SOI（绝缘体上应变硅）是一种在SOI顶层Si中引......

为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘......

晶圆级单轴应变SOI（绝缘体上硅）技术，不仅具有速度高、功耗低、集成密度高、抗辐照等SOI技术优点，还具有载流子迁移率提升高，且在高垂直......

sSOI(Strained Silicon On Insulator,绝缘体上应变硅)技术结合了应变硅和SOI的各自优点,显著的提高了材料和器件的性能。目前sSOI......