智能剥离相关论文
优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2 Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 n......
H和He离子联合注入单晶si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤，由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法，即智能剥离技术......
SOI技术作为一种全介质隔离技术,有着许多体硅器件不可比拟的优势,如低功耗(泄漏电流小)、速度快(寄生电容小)、抗干扰强、集成密......
绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator,GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材......
结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合( Anodic bonding),利用智能剥离技术( Smart-ut) 成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上.采用剖......
为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性，实验研究了GaAs晶片经6×10m／cm^2剂量氢离子以不同能量注入，再经过不同温度和不......
阐述了利用键合方法转移薄膜材料的技术及其应用。最人竞争力的转移固体薄膜技术主要有键合加选择性腐蚀工艺和注氢智能剥离工艺，这......
SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括S......
SOG材料与传统SOI材料一样,拥有许多优良的电学性能,例如SOG电路具有高开关速度、高密度、低压和低功耗等优点.同时由于SOG材料具......
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路......
阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特......
sSOI(Strained Silicon On Insulator,绝缘体上应变硅)技术结合了应变硅和SOI的各自优点,显著的提高了材料和器件的性能。目前sSOI......
sSOI(strained Silicon On Insulator,绝缘体上应变硅)结合了应变技术与SOI技术的优点,一方面提高了载流子的迁移率,另一方面也减......
绝缘层上的硅（SOI）技术以其独特的结构在低压、低功耗电路，高温、抗辐照器件以及集成光电子器件方面有着广泛的应用，被誉为“21世纪的......
