绝缘体上硅相关论文
功率集成电路技术是连接信息世界和现实世界的重要技术。集成电路技术不仅带来了信息技术、人工智能技术的蓬勃发展,而且对其他产......
作为单片智能功率芯片的核心功率器件,绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar T......
近几十年来,集成电路技术飞速发展,集成度不断地提高,性能不断增强,然而受限于其物理性质的限制,集成电路的速率、延迟和功耗等逐......
100V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）被广泛应用于汽车电子及智能......
单片智能功率芯片具有高低压兼容、集成度高以及寄生参数小的特点,广泛应用于中小功率家用电器领域。厚膜绝缘体上硅横向绝缘栅双......
随着功率集成技术的不断发展,横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）因其......
近年来,伴随着全球通信网络中数据流量的指数型增长,对高速数据传送的需求也日益强烈,光通信技术因其容量大、低成本、速度快且不......
波导布拉格光栅是一种在光通信中具有重要作用的光子器件,它通过传输模式之间的相位匹配能够实现对入射波的反射。与传统的光纤布......
波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片, 并且......
研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性, 分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性......
绝缘体上硅(SOI)提供了一种 “Si/SiO2/Si”三层结构,采用深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺,利用其中的二氧化硅绝缘层作为刻蚀自停止层......
绝缘体上硅(SOI)材料的激光损伤特性研究对基于该材料的光学器件在激光环境中的应用具有重要价值。本文使用1064 nm脉冲激光对SOI......
建立了基于注入式PIN结构的亚微米硅基波导光学相位调制器模型，对该调制器模型的光学特性和电学特性进行了理论分析和仿真，确定了器......
设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(SOI)基2×2多模干涉(MMI)耦合器,用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进......
设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的1×16阵列波导光栅(AWG)。该AWG器件的中心波长为1 550nm,信道间隔为200GHz,采用了脊型波......
芬兰阿尔托大学和硅晶圆企业Okmetic公司合作,就以金属有机物气相外延(MOVPE)方式在6英寸绝缘体上硅(SOI)衬底上生长氮化镓(GaN)展......
阵列波导光栅(AWG)解调系统是一种新型光纤光栅(FBG)解调系统，实现该解调系统的微型化、紧凑化成为重要的研究方向。传统的FBG解调......
智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)将逻辑控制电路、高压功率器件、保护电路和输出电路集成在同一块芯片中,使得整个系......
随着功率半导体器件的不断发展,绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)已经成为当前应用最广泛的功率器件之......
硅基发光材料作为达成超大规模光电子集成电路的必要条件一直受到广泛的关注。硅基材料在可见光波段的光致发光源自于硅的化合物的......
硅(Si)是整个平导体微电子学的载体和基石。但是硅(Si)的间接带隙性质使得其必须借助声子才能实现光学跃迁,这极大地影响了硅材料......
本文首先回顾硅基光子学的发展现状,介绍了无源器件和有源器件的发展。一直以来,波导集成度因串扰影响而难以进一步提升,这种影响......
微波任意波形发生在高速通信、雷达、电子对抗等领域有广泛的应用前景,目前商用的任意波形发生系统一般采用电子学方法产生,但是这......
单片智能功率芯片将逻辑电路、信号处理电路、驱动电路、保护电路及功率器件等集成在一块芯片上,可实现对电机的高效、快速、准确......
学位
相比于传统智能功率模块,单片智能功率芯片具有更低损耗、更小体积及更丰富的控制与保护功能,广泛应用于各类电机驱动和电源应用中......
智能功率模块是指将驱动电路和功率器件封装在一起组成的整体电路模块,具有了高效、智能的特点,而单芯片智能功率模块将智能功率模......
SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是“二十一世纪的硅集成电路......
利用时域有限差分法,对基于绝缘体上硅(SOI)的微环谐振腔的微环波导宽度对传输性能、Q值的影响进行了理论分析与仿真。研究结果表......
提出了一种利用微机电系统(MEMS)制造工艺技术制备的硅基微型红外光源。该光源使用绝缘体上硅(SOI)晶片作为基底材料,其上沉积多晶......
压力传感器是传感器族中的重要分支,压力传感器的可靠性和稳定性是传感器技术的一个关键点。压差传感器为压力传感器中比较复杂的......
光通信、光计算和光学生物传感技术的发展促进了对光学芯片技术的需求,也使硅基光子学是当今世界上一个热门的前沿学科,依靠硅光子......
随着人类对信息量的需求呈爆炸式增长，为了避免电子瓶颈，构建全光通信网络迫在眉睫。而光逻辑门作为其中的关键器件，在全光网络中有着......
光通信的迅速发展在给人们的生活带来巨大便利的同时，也对通信容量提出了更高的要求。为进一步增大系统的通信容量，多维复用应运而生......
近年来，集成电路已经进入到超大规模的纳米技术时代，现有的体硅材料和工艺由于它们的物理限制，已经不能进一步提高芯片的集成度和运行......
为了满足更大信息容量和更快传输速率的需求和发展趋势,新一代的超高速的光纤传输技术被提出:波分复用(wavelength division multi......
基于抗辐照加固0.35μmPDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静......
对比研究了20μm/0.35μm的SOI(绝缘体上硅)普通MOS和DTMOS(动态阈值MOS)的温度特性。从20~125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而D......
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时......
对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus......
以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场......
研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作......
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insula-tor)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关......
优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程,在550℃,2.1×10-2 Pa条件下制备了SOI材料,其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 n......
首次提出一种新的具有双面界面电荷岛结构的SOI高压器件(DCI SOI)。该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓......
针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并......
设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控......
报道了一个新的基于锥形多模干涉的相干光波合波器.对锥形多模波导中的模式行为给出了完整的理论分析,并给出了该锥形合波器在不同......
