杂质电离相关论文
建立了计算低温晶体管基区电离杂质浓度分布的精确物理模型和数值模型。由于该模型考虑了载流子费米统计分布、发射区注入和杂质电......
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质......
对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响，与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究。发现只有在高温且掺杂浓度低的......
根据半导体的电中性条件,并考虑了杂质浓度对杂质电离能的影响,利用计算机求解方法,得到费米能级的位置随温度和掺杂浓度的变化规......
