双极晶体管相关论文
伴随现代航天技术的快速发展以及微电子技术和小卫星技术的不断进步,航天用电子元器件的尺寸越来越小,封装结构越来越薄,表面贴装......
半导体工艺技术ＷＤ９４５１７制作２５．４ｐｓＥＣＬ的深亚微米超自对准硅双极工艺＝Ｄｅｅｐｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｌｅｒｓｕｐｅｒｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄＳｉｂｉｐｏｌａｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｗｉｔｈ２５．４ｐｓＥＣＬ［刊，英］／Ｋｏｎａｋａ，Ｓ．…／／Ｉ.........
射频放大器是收发信系统中不可缺少的重要器件,文中利用了S IEM EN S公司生产的BFP 420硅双极晶体管,采用三种不同的集电极偏置电......
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由功率MOSFET和双极晶体管(BJT)复合而成的一种新型半导体器件,它集两者的优点于一体,具有输入阻抗大、......
利用CFBR-Ⅱ快中子反应堆(中国第二座快中子脉冲堆)和60Co装置开展不同顺序的中子/γ辐照双极晶体管的实验.在集电极-发射极电压恒......
双极晶体管因其体积小、成本低、放大倍数高等优势被广泛应用于航天电子系统中,然而航天器长期暴露在一个复杂的空间辐射环境内,电......
双极晶体管具有优良的特性,并且广泛应用在空间设备电子系统中。不同结构和不同栅氧化层GLPNP型晶体管对电离辐照损伤敏感性不同,......
双极晶体管在汽车电子领域被广泛应用,通常在电路中用作放大和开关。用于汽车的半导体器件需要通过车规级的可靠性,其试验严苛程度......
本文对矩阵变换器理论进行了细致的阐述分析,从半导体器件层面到矩阵变换系统层面均提出了自己的构想理论。首次设想将一种单芯片......
学位
本文主要对绝缘栅双极晶体管(IGBT)的特性及其在大功率固态调制器中的应用进行了研究。通过分析、试验和软件模拟，对比了不同工艺、......
碳化硅禁带宽、击穿电场大、热导率高、电子饱和漂移速度快，在高温、高频、高辐射环境下有重要的应用前景，4H-SiC双极晶体管越来越受......
微波单片集成电路Microwave Monolithic Integrated Circuit 简称MMIC，是随着半导体技术的发展，特别是离子注入水平的提高和双极晶体......
现代通信技术的迅速发展，使得传统Si双极型晶体管已经不能够满足市场的需求，亟需造价低而高频特性好的新型器件。SiGe异质结双极晶体......
<正>驱动一个中、小功率永磁直流电机的传统方式是采用搭成H桥结构的四支MOSFET或双极晶体管。例如在图1中,电机连接在集电极对C1......
序言 随着便携式手持设备(如手机、PDA等)的功能不断增加，加上对较小体积与更长电池寿命的要求，使得锂电池成为许多此类设备......
提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数，使基区在工作时完全耗尽，从而得到大的光增益和小的噪声电流......
设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能,例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管.此类新器件......
该款机型采用传统的LUXMAN外观设计,让人联想起电子管功放,50W+50W的双极晶体管输出的固态电路放大器.采用的不是最新的ODNF回路,......
介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有......
研究了当双极晶体管芯片有源区出现热斑时流经其发射结的电流的趋热行为及其对用ΔＶＢＥ法测量结温的影响，提出了一种快速判定器件有源区......
通过对VDMOS结构器件测量的I-V特性和模拟结果的分析 , 发现在此结构中,寄生的双极管对器件性能具有不良影响.可以来用一种新型的......
研制出Ｈｅ离子注入局域寿命控制ＳＯＩ横向绝缘栅双极晶体管（ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明，该器件的t_f～V......
叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间......
文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验.结果表明,室温辐照条件下......
考虑到结温分布不均匀的情况 ,对用 ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究 .当结温分布均匀时 ,测得的结温与测试电流无关 ;当......
3DG111F等4种双极晶体管在航天器驱动电子设备中有着重要的应用。研究和掌握空间辐射环境对这些器件产生的总剂量效应有助于了解单......
近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型......
一、新思考众所周知，功率放大器有三种器件——胆管、双极晶体管和MOS—FET管可选择。功率放大器用的器件不同，其声音的“质感”也不......
无论氢在电子器件内部以何种形式(H2分子、H原子或H+离子)存在，均会对电子器件电离损伤产生作用，进而影响器件的抗辐照能力。本文深......
利用硅双极晶体管在线监测中子注量,其直流增益和损伤常数是作为探测器指标的重要参数。高温退火可使受到中子辐照的双极晶体管性......
对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国......
提出了用理想因子n作为表征，对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象，进行了3组不同温、湿度恒定应力......
从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法.结合双板晶体管的工艺限制,介绍了SiGe HBT的基本原理,讨论了SiGe HBT的发......
对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验.结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明......
选用35 MeV Si离子,针对NPN及PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验,探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置......
本文采用射极跟随器、电流镜、非饱和电流开关等高速单元电路设计了一种新颖的ＢＪＴ模拟开关，它具有速度快，频带宽，隔离度高，动态范围大，线性......
给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管......
用ΔVBE法测得的结温是器件有源区某一点的温度，流经该点的测试电流密度等于流经整个芯片的平均测试电流密度。测量结温随测试电流......
对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明；在辐照的剂量率范围......
文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应,发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机制是不相同的.最后文章......
前言 为了增加电源功率的密度，务必采用将双极晶体管吸收电路高频化的手段。电容器电源中的開关器件的安全是一个很重要的问题，为......
本文简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实现发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阈值电压漂......
