少子浓度相关论文
本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管......
本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数......
该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响；建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型．获得的计算结果在轻掺杂时......
从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发，推导出了基区少数载流子浓度的解析解，由此获得了基区各种复合电流的解析表达......
提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流......
半导体的化学刻蚀,俗称湿法刻蚀,它是半导体器件制作中的一个重要工艺,按照化学作用的原理,它可分为化学反应刻蚀、电化学刻蚀和光......
目前,在国内很多晶体管电路书中,关于晶体管的输入特性持下述论点: 1.U_CE=0时,晶体管的I_B和U_BE的关系就是(或可看作)发射结与......
本文介绍一种用标准CMOS工艺制作的横向双基极磁敏晶体管.工作机理是载流子在磁场作用下的偏转效应和注入调制效应,且以偏转效应为......
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质......
介绍了离子回旋波加热领域研究进展，具体分析了快波少子加热模式转换情况以及影响模式转换分量大小和位置的因素。通过控制波的频率......
1 PN结两侧的电压分布曲线在讨论PN结自建场电压时,常用图1(a)所示模型代替空间电荷分布.由于空间电荷区的厚度[图1中用2(b)表示]......
费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数，它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关，至今尚未有一统一的数学......
