气相传输法相关论文
近年来,由于生活水平的提高以及饮食的不规律,越来越多的人开始患上糖尿病。糖尿病需要早发现早治疗,然而现在的糖尿病检测装置需......
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ZnO具有3.37eV宽直接带隙和60meV强激子束缚能，这决定了ZnO在紫外光电器件领域具有广阔的应用前景。ZnO微纳米材料可以通过制备方法......
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(Eg=3.37ev)半导体材料,其激子束缚能高达60meV,在室温紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。目前针......
ZnO是一种重要的宽禁带透明半导体材料，室温下禁带宽度3．37ev。ZnO具有优异的光电性能和较大的激子束缚能，具有很高的发光效率，是高温......
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(Eg=3.37ev)半导体材料，其激子束缚能高达60meV。可控制生长的ZnO纳米阵列被认为在太阳能电池，光催化......
以廉价的四乙基溴化铵为模板剂,采用原料直接混合气相传输法合成β沸石.利用X射线衍射、红外光谱和扫描电镜等手段对产物进行了表......
采用气相传输法制备出微纳结构的氧化锌，通过扫描电子显微镜、X-射线衍射仪和透射电子显微镜等对样品结构进行表征，研究样品形貌与生......
研究了化学气相传输法（CVT）生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理，分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的......
低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相......
拓扑半金属已经成为凝聚态物理研究的一个热点领域,这类材料的单晶生长是研究其物理性质的基础.目前,对于拓扑材料的研究已经形成......
氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。ZnO半导体室......
为提高气相传输法制备微纳结构样品形貌的可控性,进行了生长温度调控下氧化锌晶体生长机制及其变化的实验研究。实验中的样品制备,......
氧化锌纳米材料由于其本身材料特性和形状特性,在光电子器件及自旋存储器件方面有着广泛的应用前景,对其材料本身的研究以及对其掺......
