ZnO纳米结构阵列的制备及光电特性

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氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(Eg=3.37ev)半导体材料,其激子束缚能高达60meV。可控制生长的ZnO纳米阵列被认为在太阳能电池,光催化领域和紫外光电器件方面具有很好的应用前景。   控制纳米结构形貌的生长是ZnO功能应用研究中很重要的一部分,海胆状和中空球状结构的ZnO纳米棒阵列在许多领域都有广泛的应用。本文分别通过气相传输和水热法生长垂直、有序、密集的海胆状ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)、能量色散X射线(EDX)、光致发光谱(PL)分析了其形貌,晶格结构和元素分布,并进一步讨论了其生长机制。   在过去的几年中,许多紫外探测器是用诸如SiCN,diamond,SiC制作的P-N型和肖特基型的二极管,基于ZnO的紫外探测器被认为在紫外区域最具有前景。本文中的ZnO纳米棒/p型Si异质结紫外探测器是由低温水热法制作出来的,ZnO纳米薄膜/p型NiO纳米薄膜异质结紫外探测器是通过磁控溅射制备的。伏安特性曲线显示在紫外区,异质结在正向和反向偏压下都可以对紫外光有很好的光响应。通过控制合成技术,能够制作出带有更高光响应的器件。  
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