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气相外延设备相关论文
用超高真空CVD优化锗硅外延材料中的锗分布
本文改进了自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVDSGE500)的气路系统,使之拥有生长渐变Ge分布的SiGe材料的能力.利用X射......
会议
超高真空
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硅外延材料
气相外延设备
二次离子质谱
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双晶衍射
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