二次离子质谱相关论文
该文总结了二次离子质谱、基质辅助激光解吸电离质谱和常压敞开式离子化质谱三大类型质谱分子成像（MSI）技术的概况、技术与方法及其......
二次离子质谱仪测量的元素深度分布曲线受离子注入引发的原子混合、坑壁、晶体取向以及表面粗糙度等因素的影响,使得实测曲线偏离......
水是地球的血液,对各种地质演化过程的作用举足轻重。水在岩浆活动中不相容,在分离结晶过程中水逐渐富集至演化熔体中。在岩石部分......
基于二次离子质谱具有极高的微区空间分辨能力和灵敏度,SIMS锆石铀铅定年法成为矿物定年的重要方法之一。除SIMS仪器测试参数以及......
二次离子质谱是一种用于分析固体材料表面组分的重要手段,广泛应用于化学、生物学、微电子、陶瓷、新材料研究等领域.基于二次离子......
研究了碳杂质对p-GaN的补偿作用.采用金属有机化学气相沉积法生长GaN∶Mg材料,实验发现,当生长温度从1000℃提高到1050℃时,p-GaN......
本文与本刊1991年专栏评述衔接,评述了1991～1992年10月间我国同位素质谱和无机质谱分析的情况。包括同位素分析、同位素示踪、同位......
二次离子质谱作为目前空间分辨率最高的质谱成像技术,以其免标记、高灵敏、多组分检测优势和亚微米级高空间分辨成像优势为诸多生......
细胞的个体差异性对于生物体生理功能的运行至关重要,准确阐释相关生物学机理需要以单细胞化学组分的准确测量为基础.然而,由于单......
熔体包裹体研究不仅广泛应用于火山岩和部分侵入岩系统,而且因其具有可以保存岩浆初始挥发分和金属组成的优势,近来也逐步应用于矿......
近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPAs)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.要......
本文对退火SOI样品进行二次离子质谱深度分析和能量分析，揭示了硅和二氧化硅中离子(簇)的形成发射过程以及能量分布机理，并且在研究......
二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS）溅射深度剖析技术已广泛应用于薄膜材料物理化学性质的研究和成分深度分布的表......
该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气......
采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用电子束蒸发的方法在200℃抛光的(1102)取向的蓝宝石(︿-Al2O3单晶)衬底上淀积200nm的Cr膜,并在高真空中退火。利用MCs+-SIMS技术......
通过离子注入结合二次离子质谱分析方法,研究了高压下Co在Zr46.75Ti8.25Cu7.5Ni1oBe27.5大块金属玻璃过冷液相区中的扩散行为.在60......
利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子......
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次......
用二次离子质谱 (SIMS)分析了低能注入 (1 5 0 ke V)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况 .砷在碲镉......
对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在Suprem Ⅳ中采用的双Pearson 分布模型。通过对B+ 及As+ 在不同......
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p......
采用二次离子质谱仪(SIMS)离子剥落方式结合台阶仪研究了Al原子在Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5大块金属玻璃(BMG)和晶态合金中的扩散行为......
在集成电路工艺中,硅芯片上的电子组件是采用金属导线将它相互连接起来.可作互连导线的金属有Al、Au、Ag、Cu和Ti等.集成度并不高......
在砷化镓工艺过程中，很多失效问题与表面的沾污有关，二次离子质谱分析是表面分析的有力手段，本文提供一种用二次离子质谱分析检测砷化......
本文采用相对灵敏度因子法，对硅中磷含量的SIMS定量分析方法进行研究。并通过提高质量分辨率的方法降低背景，使磷的检测限达到1．0......
本文针对二次离子质谱分析珊瑚氧同位素组成过程中存在的非规律性基体效应问题,提出多控制点分段计算并分段校正珊瑚的氧同位素分......
报道了利用中国科学院广州地球化学研究所同位素地球化学国家重点实验室的CAMECA IMS 1280-HR型二次离子质谱仪（SIMS）建立的锆石原位......
研究了两种澳大利亚烟煤（悉尼盆地，Greta和Whybrow煤层）镜质组煤样的表面氧化过程，将煤样在空气中进行热处理，温度在20－120℃这间，试验时......
稻田淹水产生的合适pH和氧化-还原条件为固氮微生物的固氮提供了适宜环境条件,使得稻田在多年不施氮肥条件下仍能维持一定产量,而......
将Zr-4合金样品分别放在盛有350℃,0.1 mol/L的LiOH和KOH水溶液的高压釜中进行腐蚀,当2种样品的氧化膜厚度相同时,用二次离子质谱......
为了解释锆合金在LiOH水溶液中耐腐蚀性能降低的原因,将3组粉状Zr-4合金样品分别放在500℃空气中、500℃过热蒸汽中和350℃的0.1 m......
在不同水化学条件下的高压釜中研究了Zr-4合金在LiOH水溶液中的耐腐蚀性能.结果表明,不同的腐蚀介质对氧化膜内的压应力和t-ZrO2的......
在液相外延生长（LPE）的碲镉汞（HgCdTe）外延薄膜（111）方向上蒸发生长碲化镉（CdTe）钝化层。在70～250℃范围内的各个不同的温度环境下进行碲化......
以去离子水（H2O）和三甲基镓（TMGa）为源材料，用常压MOCVD方法在蓝宝石（0001）面上生长出β-Ga2O3，薄膜。用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）以......
采用固相扩散法在n-Si（100）衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜。利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术，对薄膜的厚度及组分......
利用北京大学2×1．7MV串列加速器终端的飞行时间（TOF）谱仪，分别用1．5、2．0和3．0MeV三种能量的初级束Si＋轰击样品来研究其二次离子发射......
卢瑟福背散射分析是测定薄膜或镀层成分和厚度的成熟手段，但在分析含多种微量元素成分的厚样品时，精确测定样品中多种元素的分布是比......
摘 要：采用SIMS相对灵敏度因子法，对碳化硅中硼含量的定量分析方法进行了系统的研究。通过对离子注入的参考样品进行SIMS深度剖析测......
依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO2膜的吸收输运和SiO2-Si内界面......
质谱成像技术包括二次离子质谱（SIMS）、激光烧蚀-电感耦合等离子体质谱（LA—ICP—MS）、解吸吸附电喷雾离子化（DESI）和基质辅助激光解吸电......
运用高性能静态二次离子质谱从中国贵州(六枝)超高硫原煤有机相中观测到元素硫与铁的复合组成离子。由此，首次以确切的实验证据支持......
运用高性能静态二次离子质谱从中国贵州六枝超高硫无烟煤有机相中观测到分子氯(Cl2)的团簇负离子,从而首次获得分子氯在原煤中存在......
利用改进的硼的核反应产物粒子径迹显微照相技术和离子探针的二次离子质谱分析方法,探明了硼在航空发动机涡轮叶片瞬时液相扩散连......
介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了......
采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法对本实验室生长得到的2英寸（50mm）4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试，结果发现数据的离散性......
华北克拉通山东金刚石晶体生长的多阶段性及碳同位素组成已被人们关注,但很少有人对不同阶段金刚石及其内部的碳同位素组成变化进......
