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本文改进了自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVDSGE500)的气路系统,使之拥有生长渐变Ge分布的SiGe材料的能力.利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)测试技术,研究了并优化了外延生长的各个参量,最终得到了优化了Ge分布的SiGe材料.
用超高真空CVD优化锗硅外延材料中的锗分布
【摘 要】
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本文改进了自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVDSGE500)的气路系统,使之拥有生长渐变Ge分布的SiGe材料的能力.利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)测
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京,100084
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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