β-Ga2O3相关论文
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体，因具有优异光电性能成为继SiC和GaN之后的第三代用于功率元件的宽禁带半导体，可广泛应用于航空航天......
光电探测器作为人类探索世界感知世界的“千里眼”,在军事和民用领域都有着极为重要的作用和广泛的应用,例如导弹告警、火灾探测、......
随着如今电子元器件更趋向于大规模集成化和微型化,传统半导体材料逐渐暴露出短板,因此,科研人员在自然界寻找一些能够取代传统材......
β-Ga2O3是近年来新兴的超宽禁带半导体材料之一,因具有4.2～4.9eV的超大禁带宽度,高热稳定性和天然衬底可以大规模生产等特点而受到......
近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究。射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3......
第三代半导体材料典型代表β-Ga_2O_3,是一种具有宽禁带特性的半导体材料,不仅具有优良的光电特性,还具有较好的热稳定性和良好的......
由于宽的禁带宽度(3.39 eV)和高的击穿电场,作为第三代化合物半导体的代表,氮化镓(GaN)在高功率和高频器件上已经显示出巨大的应用......
Ga_2O_3作为一种新型化合物半导体材料,具有多种同分异构体结构,其中以单斜晶系的β-Ga_2O_3最为受到人们的关注。与GaN、SiC等半......
采用密度泛函理论（DFT）,对不同过渡金属元素（Ca、La、Ti）掺杂β-Ga2O3光催化剂的催化性能进行研究。结果表明,金属元素钙（Ca）掺杂β-Ga2O......
β-Ga2O3是III-VI族直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度（Eg）在4.2-4.9eV之间,具有很好的光学和电学特性,日益成为当前氧化物半导体领域......
Ga_2O_3作为一种超宽禁带半导体新型材料,不仅具有超宽的带隙(高达4.9e V),较高的临界击穿电场(高达8MV/cm),而且在高温下还具有出......
日盲紫外探测技术由于背景噪声低和灵敏度高等优点,被广泛应用于火焰检测、高压电晕、生物/化学分析、臭氧层监测、导弹制导及空间......
日盲紫外探测器及其相关技术能够在强烈紫外背景的干扰下检测到微弱的信号,由于臭氧层对深紫外光的吸收作用,使得工作在大气环境下......
氧化镓是一种重要的宽禁带半导体材料,具有许多优异的性能,在发光、气敏和生物成像等领域具有广泛的应用。由于其广阔的应用前景,......
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)是当前研究的热点问题。由于具有禁带宽度大(3.4 eV)、击穿电场高、电子漂移速......
工作于200-280 nm波段的日盲深紫外光探测器在包括导弹预警、空间通讯、火焰探测、远程控制以及化学和生物分析等许多军事和民用领......
单斜结构β-Ga2O3是一种超宽带隙(4.9eV)的新型半导体材料,在新一代电力电子器件和光电器件领域有着广阔的应用前景。β-Ga2O3无需......
稀土离子有着很独特的电子结构,这一特有的电子结构使得稀土发光一般都拥有发光谱线较窄、波段分布区域宽、光色纯度高而且几乎不......
随着半导体科学技术的日益发展,以GaN及其三元合金AlGaN为代表的氮化物材料凭借带隙宽度大、击穿电压高、化学稳定性优异等优点已......
β-Ga_2O_3作为一种新型宽禁带半导体材料,因其～4.8 e V的禁带宽度、高达8MV/cm的击穿场强、稳定的物理化学特性,成为了Si C、Ga N......
采用简单的化学气相沉积(CVD)方法,利用氧化镓粉末和碳粉作为生长的原材料,在无金属催化剂的情况下,在硅衬底上生长出了产量高、面......
In this paper,drain current transient characteristics of β-Ga2O3 high electron mobility transistor (HEMT) are studied t......
氧化镓(Ga2O3)纳米材料在紫外透明电极、高温气体传感器、日盲紫外探测器和功率器件等领域具有巨大的应用潜力,而实现高结晶质量和......
Effect of Oxide Assisted Metal Nanoparticles on Microstructure and Morphology of Gallium oxide Nanow
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体.在室温下测试了β-Ga2O3:Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱.通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
β-Ga2O3∶Cr single crystals have potential applications for tunable laser. In β-Ga2O3 crystal structure Cr3+ ions are ......
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Several researches have been reported about the characteristic of β-Ga2O3 nanowires which was synthesized on nickel oxi......
Perfluorooctanoic acid (PFOA) is a new-found hazardous persistent organic pollutant,and it is resistant to decomposition......
β型氧化镓(β-Ga2O3)具有宽禁带、高击穿强度和低制造成本等优点,是制备第三代半导体的优质备选材料。制备β-Ga2O3材料的方法有......
超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)有五种晶相,其中β-Ga2O3能带带隙为4.7~4.9 eV,在高温气体传感、深紫外日盲光电探测和功率器件等领......
β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的......
利用金刚石对顶砧（DAC）高压装置产生高压，在0-23.4GPa研究β相氧化镓（β-Ga2O3）晶体高压原位拉曼光谱。根据高压拉曼光谱的实验数据，给出......
通过在N2气氛中将金属镓加热到900℃,在镓颗粒表面大面积生长出-βGa2O3纳米线.采用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显......
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Mn重掺杂对β-Ga2O3物理性能的影响。建立了β-Ga2O3模型,用Mn原子部分替代Ga原子构建Ga2......
运用第一性原理密度泛函理论（DFT）计算了不同交换关联势下单斜晶系β-Ga2O3的总能量、晶格常数、总态密度、分波态密度及能带结构。......
近年来,日盲紫外探测器在民用和军事应用中受到了广泛关注,如导弹跟踪、短距离安全通信和臭氧层空洞检测。宽禁带半导体材料适合制......
采用电纺丝法制备了铽（Tb）掺杂的氧化镓（Ga2O2）纳米纤维，并用场发射扫描电镜（FE—SEM）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）和光致发光谱（PL）对其......
稀磁半导体（Dilute Magnetic Semiconductors,DMSs）是一种优良的自旋电子学的后备材料,已成为当今微电子科学的热点。它有着半导体的......
IGZO半导体有源沟道层材料,由于其优异的光、电学性能,使其成为继氢化非晶硅、低温多晶硅之后发展起来的最具应用前景的氧化物有源......
采用溶胶-凝胶法制备Tb3＋掺杂β-Ga2O3纳米粉末.用X-射线衍射（XRD）、拉曼（Raman）、光致发光激发谱（PLE）和发光谱（PL）对其进行了一系列的表征......
β-Ga2O3作为新型宽禁带半导体材料,近年来受到了人们的广泛关注。β-Ga2O3禁带宽度可达4. 7 e V,相比于第三代半导体SiC和Ga N,具......
宽禁带半导体材料氧化镓(β-Ga_2O_3)具有禁带宽度较大(4.9 eV)、理化性质稳定等优势。近年来,氧化镓因其独特的性质引起了研究者......
