宽禁带半导体相关论文
本文使用导模法（EFG）制备了4英寸氧化镓（β-Ga2O3）单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究。晶体不同方向劳厄（L......
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体，因具有优异光电性能成为继SiC和GaN之后的第三代用于功率元件的宽禁带半导体，可广泛应用于航空航天......
全球对公共空间和家庭环境的消毒杀菌需求与日俱增，以深紫外LED为代表的新型宽禁带半导体光电器件正成为科技“新触角”，广泛应用于......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件，介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果：SiC材料对重离子辐照不......
宽禁带半导体材料因其具有高击穿电场、良好的导热性、高的电子饱和率和抗辐射性能等特点,已成为开发高频率、高功率、耐高温和抗......
碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料，近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升，外延膜生长速率和品质逐......
随着各行业全电化的快速推进,市场对电源模块的效率、功率密度以及集成度的要求越来越高。针对电源模块的效率与功率密度这两个关......
近些年来低维材料成为十分热门的研究内容,低维材料往往拥有独特的性能,相关应用价值体现在众多科研领域,这吸引了无数科研工作者......
大功率金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor,MOSFET）是电力电子系统中最常用的开关器件之......
随着电子信息技术的不断发展,宽禁带半导体材料在发光二极管、太阳能透明电极以及日盲紫外探测器等领域的应用引起了越来越多的学......
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性......
随着国防、航空航天、信息与通信技术、汽车和消费电子等众多行业需求的不断增长,宽禁带半导体市场展现出较好的发展前景,科研人员......
本文基于遗传算法预测了一种新型二维砷结构并研究了它的物理性质。对已报道过的P2/m-P的平面各向异性进行了进一步的研究。此外,......
石墨烯、宽禁带半导体和新型二维半导体材料都具有各自的优异的结构性质和光电特性以及广阔的应用前景,当然它们也存在各自的局限......
近年来,应用于可穿戴和生物电子的柔性和可拉伸的光电器件得到广泛的关注。基于GaN基高亮度发光二极管(HPLED)和微发光二极管(Micr......
采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备出具有沿c轴择优取向的多晶MgZnO薄膜，通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)分析表明，MgZnO多晶薄......
ZnO具有许多优异的特性，已作为一种压电、压敏和气敏材料较早便得以研究，并被广泛应用于变阻器、转换器、透明导电电极、传感器和催......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高......
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达1......
Gree和TriQuint公司开始大举竞争GaN代工业务。在所有情况下,军事应用是发展GaN器件的强劲动力。GaN器件诱人之处在于它具有功率密......
新能源汽车、智能电网等战略性新兴产业发展迅猛。作为这些产业的“心脏”和“发动机”——用于能源产生、传输、使用的芯片更是市......
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延......
研究了GaN HEMT开关功率放大器的交流电流和微波性能随温度的变化.研究结果表明,GaN HEMT的高温退化将导致开关功放工作电流及小信......
<正>第三代半导体材料将掀起一场怎样的技术革命?我国布局第三代半导体产业将会遇到什么问题?有独到见解和实际工作经验的中国工程......
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,......
近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究。射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3......
深紫外光电探测器是光电探测技术领域中的研究热点,在紫外制导、紫外预警、空间通信、航空航天和紫外天文学等领域具有重要的应用......
六方氮化硼（hBN）,是一种人工合成的超宽禁带半导体材料,具有类石墨结构,俗称“白石墨”。其禁带宽度高达6.0 eV以上,本征吸收边约为2......
在经过多年的疑虑和犹豫之后,SiC器件终于迎来了春天。Yole Développement公司预测,到2020年SiC的市场容量将会增长三倍。随着Cre......
氧化镓(Ga2O3)薄膜在功率器件以及紫外探测等领域中具有重要的应用潜力,而实现高质量薄膜制备则是其中的关键.本文在蓝宝石衬底上......
随着集成电路制造技术和微纳米加工技术的进步，电子器件的体积和功耗在不断降低，无线传感网络、嵌入式系统等领域加速向智能化和微型......
近年来，宽禁带半导体在实现短波长光学器件和短波长激光发射上受到人们的普遍关注。作为候选材料之一的ZnO为纤锌矿六方结构直接带......
ZnO是一种纤锌矿结构的宽禁带半导体材料，具有优异的光电特性，而SiO_2是一种化学性质稳定的理想的光学透明介质。将纳米ZnO颗粒复合......
氧化镉作为一种宽禁带(Eg=2.3eV)直接带隙化合物半导体，对应的波长处于太阳光谱在可见光波段能量最强值510nm附近。CdO以其高载流子......
纳米材料的物理化学性能与其颗粒的形状、尺寸有着密切的关系。因此，单分散纳米材料的制备及其与尺寸相关的性能都成为近几年人们研......
ZnO是直接宽禁带半导体材料(禁带宽度为3.37 eV)，在室温下有很高的激子束缚能(60 meV)，外延生长温度低，抗辐射能力强，在短波发光二极管......
GeSe2是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7eV,是IVA-VIA族化合物家族中的重要成员。作为一种新型的多功能材料,GeSe2因其在光......
作为最重要的宽禁带半导体二氧化钛(TiO2)材料,其纳米化可表现出一些体材料无法具有的优越性能,从而可进一步推动TiO2在新领域中的......
