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高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响
研究了1 120 ℃高温淬火对非掺杂半绝缘LECGaAs中 EL2 浓度的影响.发 现真空条件下,在1 120 ℃热处理2 h ~ 8 h并快速冷却后,样品中EL......
期刊
非掺杂半绝缘LECGaAs
高温粹火
EL2浓度
AS压
砷化镓
深施主缺陷
集成电路
砷压
undoped send-insulating GaAs: que
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