由于独特的电磁和物理化学特性,纳米级金属体系结构在电子,Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)设备、诊断、生物传感、光谱学......

研究了1 120 ℃高温淬火对非掺杂半绝缘LECGaAs中 EL2 浓度的影响．发 现真空条件下，在1 120 ℃热处理2 h ~ 8 h并快速冷却后，样品中EL......

砷化镓（GaAs）是一种优良的半导体材料，它广泛应用于微波器件、光电子器件以及超高速集成电路。NDLECSI GaAs单晶是指液封直拉（LEC）法生......

对非掺杂（ＮＤ）半绝缘（ＳＩ）液封直拉（ＬＥＣ）ＧａＡｓ单晶在 ９５０℃下进行了不同 Ａｓ压的热处理，研究了热处理对材料电特性的影响．发现在９５０℃温度和低Ａｓ压条件下 进行１４ｈ热处理，......

在 950℃和 1120℃温度下,对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC) GaAs 单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷......