硅基光互连相关论文
随着摩尔定律以及光通讯技术的日益发展需要。传统的电互连因散热、信道延迟和电磁干扰等因素的影响,难以满足迅速增加的通信量传......
随着信息社会的高速发展和大数据时代的到来,通信速率日益提升,但是电互连在高速数据通信中存在传输延迟大、易受电磁干扰的缺陷。......
随着集成电路技术不断向高速和高集成度的方向发展，传统的电互连不可避免地出现了高延迟、高功耗以及严重的信号串扰等问题。而硅基......
近年来，随着信息技术的迅速发展，半导体微电子器件工艺水平不断提高，其体积不断缩小和芯片集成度不断提高，传统的技术正面临着一系列包......
研究了用于喇曼放大的绝缘硅（SOI）脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带......
刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,......
面向互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的硅基光互连体系,研制了包括光波导、光栅耦合器、刻蚀衍射光栅、偏振旋转分束器、光频......
随着大数据时代的发展和智慧城市的建设,片上光互连在数据中心、高性能计算机等高速、高密度信息传输领域的优势更加突出,光子集成......
基于Ge、GeSn等IV族材料的硅基探测器与Si CMOS工艺兼容性好,成本低廉,并且易于与硅基波导器件集成,因而具有非常重要的应用价值。......
按照摩尔定律集成电路特征尺寸的变化,目前主流工艺的互连线的最小线宽已经步入了100nm以下,芯片上的电互连即将到达极限,这带来了......
