PIN结构相关论文
光电探测器是一种利用光电或光热效应将光能与电能相互转换的器件,被广泛应用于军用和民用领域。在过去的几十年里,Ⅳ族Si、Ge等材......
传统的经典理论认为,半导体多量子阱结构中存在很强的量子限制效应,可以有效地对载流子进行捕获和限制,因此多量子阱结构被广泛的......
辐射伏特式同位素电池使用寿命长、易于小型化,是微能源领域的优良选择。使用宽禁带半导体材料作为电池换能元件理论具有更高的能......
期刊
建立了基于注入式PIN结构的亚微米硅基波导光学相位调制器模型，对该调制器模型的光学特性和电学特性进行了理论分析和仿真，确定了器......
本研究制备了GaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为5×1014 cm-2和2×1O15 cm-2的辐照。通过测量辐照......
研究了用于喇曼放大的绝缘硅（SOI）脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带......
紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值.探讨了AlGaN pin 紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器......
研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响，分析了制约载流子寿命减小的若干因素，综述了采用合理设计减小波导截面......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利......
pin器件在整流和探测领域都有着重要的潜在应用价值。为了提高器件伏安和光电探测性能,提出了一种新型的p-硅/i-氧化铝/n-掺铝氧化......
期刊
基于磷光染料的有机电致发光器件(PHOLED:phosphorescent organic light-emitting diodes)可以同时捕获电致激发的单线态和三线态......
本文将主要讨论锗薄膜表层PIN光电探测器的设计。包括过渡层在内的锗薄膜层,设备能够很好的接收硅波导信号并且在重掺杂p＋/n＋区域的......
